2~20GHz GaAs超宽带杂谱抑制单片低噪声放大器

发布时间：2017-09-12 08:23

  本文关键词：2~20GHz GaAs超宽带杂谱抑制单片低噪声放大器

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【摘要】：基于0.15μm GaAs PHEMT低噪声工艺,采用二种不同的电路结构——分布式和负反馈,研制了两种超宽带低噪声放大器芯片,两种芯片都达到了2~20GHz的超宽带要求。两款芯片均使用单电源+5V自偏置供电。分布式低噪声放大器芯片的典型增益为17dB,典型噪声系数为2.5dB,输入驻波≤1.6,输出驻波≤1.9,1dB增益压缩输出功率≥14dBm,电流≤75mA;负反馈低噪声放大器芯片的典型增益≥20dB,典型噪声系数≤3.0dB,输入输出驻波≤2.1,1dB增益压缩输出功率≥14dBm,电流≤60mA。用探索到的杂谱抑制理念,设计的两种放大器在全频带、全温(-55~+125℃)、大小信号输入下均未见到杂波,成功解决了国外同类产品HMC462在低温(-55℃)下存在杂散的严重问题。
【作者单位】： 南京电子器件研究所;
【关键词】： 微波单片集成电路 超宽带 低噪声放大器 赝配高电子迁移率晶体管 分布式结构 负反馈 杂波抑制
【分类号】：TN722.3
【正文快照】： 引言单片微波集成电路(MMIC)以其体积小、重量轻、一致性好、可靠性高等优点在微波领域得到了迅速的发展。其中超宽带低噪声放大器MMIC作为接收机中的关键元器件,在通信、雷达、电子战等应用领域中决定了整个接收系统的性能,其国产化的需求也日益迫切。本文利用0.15μm的GaAs

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