一种pin结构光电器件的研究

发布时间：2017-09-12 17:10

  本文关键词：一种pin结构光电器件的研究

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【摘要】：pin器件在整流和探测领域都有着重要的潜在应用价值。为了提高器件伏安和光电探测性能,提出了一种新型的p-硅/i-氧化铝/n-掺铝氧化锌(AZO)结构器件,并利用原子层沉积技术(ALD)在低温下实现了器件制备。分析了器件的伏安特性,结果显示相比传统的pn结构器件,新结构在无光条件下实现了152的整流比。通过增加i层的沉积厚度,可以有效抑制遂穿效应,减小暗电流,提高光电检测的灵敏度,实现了比传统材料更高的光生电流灵敏度。
【作者单位】： 上海理工大学光电信息与计算机工程学院;
【关键词】： pin结构 原子层沉积(ALD) 整流比 遂穿效应
【基金】：国家重点基础研究发展计划(2015CB352001)
【分类号】：TN15
【正文快照】： 引言随着微电子学的发展,半导体光电器件如太阳能电池、LED、光探测器在军事、安检、民生等方面的应用越来越受到重视。这些器件有多种不同的结构,而p-i-n结对于半导体整流和光电探测来说是一种十分有效的结构,因其具有抑制暗电流的优势[1]。作为窗口层,宽禁带的透明薄膜十分，

本文编号：838462