铜膜碘化法制备p型CuI薄膜及其用作空穴传输层的反型钙钛矿电池性能

发布时间：2017-09-14 18:29

  本文关键词：铜膜碘化法制备p型CuI薄膜及其用作空穴传输层的反型钙钛矿电池性能

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【摘要】：γ相碘化亚铜(γ-Cu I)是一种带隙为3.1 e V的p型半导体材料,适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件。本研究利用简单的铜膜碘化法制备了Cu I薄膜,探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响。在最优碘化时间(30 min)和碘化温度(120℃)下,制备出了高透过率(可见光范围75%)、导电性能好(电阻率4.4×10-2?·cm)的Cu I薄膜。利用Cu I薄膜作为空穴传输层,组装了Cu I/CH3NH3Pb I3/PCBM反型平面钙钛矿电池,获得的最高光电转换效率为8.35%,讨论了Cu I薄膜透明导电性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理。
【作者单位】： 山东大学材料科学与工程学院;济南大学材料科学与工程学院;
【关键词】： 碘化亚铜 铜膜碘化法 透明导电 反型钙钛矿太阳能电池
【基金】：国家自然科学基金(51472110) 山东省自然科学基金(JQ201214;2014ZRB01A47)~~
【分类号】：TM914.4;TN304
【正文快照】： National Natural Science Foundation of China(51472110);Shandong Provincial Natural Science Foundation(JQ201214,2014ZRB01A47)碘化亚铜(Cu I)是一种典型的卤化物半导体,有α、β、γ三种晶相[1-2]:当温度低于350℃时,为闪锌矿结构的γ相(γ-Cu I);温度在350~400℃之间

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1 韩静;CuI在染料敏化太阳能电池中的应用[D];北京化工大学;2008年

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本文编号：851619