不同沉积层的纳米波导谐振腔特性测试

发布时间：2017-09-15 20:03

  本文关键词：不同沉积层的纳米波导谐振腔特性测试

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【摘要】：为确定硅基片上系统半导体光电器件集成中绝缘层材料对器件整体性能的影响,设计并制备了带有覆层的纳米波导谐振腔.谐振透射谱功率测试表明顶层覆盖Si_3N_4薄膜和SiO_2薄膜绝缘层没有削弱环形谐振腔的品质因素,沉积后的最佳耦合间距为70~110 nm.覆层为SiO_2时谐振点波长附近的谐振峰消光比达16.5 dB,3 dB带宽为0.12 nm;覆层为Si_3N_4时谐振点波长附近的谐振峰消光比达13.9 dB,3 dB带宽为0.18 nm.该研究为片上系统集成设计中最佳绝缘层材料的选择提供参考.
【作者单位】： 中北大学(朔州校区);中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;
【关键词】： 光电器件 片上系统 纳米光波导 微环谐振腔
【基金】：山西省青年基金项目(No.2015021095) 国家自然科学基金(No.61127008)资助~~
【分类号】：TN25
【正文快照】： 25,1^S. 随着物联网国家发展战略概念的提出,以及各种新型技术产业的需求与应用,高度集成芯片技术、高速带宽传输的信息载体、云存储和云计算等技术推动了物联网产业的迅速崛起[12],其中,光电集成器件作为未来物联网产业发展中感知层部件的关键起到了至关重要的作用[3].而硅

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本文编号：858590