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GaN基蓝光VCSEL的制备及光学特性

发布时间:2017-09-16 04:04

  本文关键词:GaN基蓝光VCSEL的制备及光学特性


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【摘要】:利用金属有机物气相沉积技术(MOCVD)在(0001)蓝宝石衬底上生长了Ga N基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的多量子阱腔层结构。X射线衍射测量显示该多量子阱具有良好周期结构和平整界面。运用键合及激光剥离技术将该外延片制作成VCSEL,顶部和底部反射镜为极高反射率的介质膜分布布拉格反射镜(DBR)。在室温、紫外脉冲激光的泵浦条件下,观察到了VCSEL明显的激射现象,峰值波长位于447.7 nm,半高宽为0.11 nm,自发辐射因子约为6.0×10-2,阈值能量密度约为8.8 m J/cm2。在大幅度降低制作难度的情况下,得到目前国际最好结果同样数量级的激射阈值。降低器件制作难度有利于制备的重复性,有利于器件的产品化。
【作者单位】: 厦门理工学院光电与通信工程学院;福建省光电信息材料与器件重点实验室;厦门大学信息学院电子系;
【关键词】氮化镓 垂直腔面发射激光器 激光剥离技术 光泵浦 激射
【基金】:国家自然科学基金(61307115) 福建省教育厅A类科技项目(JA12249) 厦门理工学院高校高层次人才基金(YKJ11026R) 福建省自然科学基金(2013J05104)资助项目
【分类号】:TN248
【正文快照】: 1引言本世纪以来,Ga N基光电子器件正经历快速发展阶段,其中LED和边发射激光器已经实现产业化,但是具有更优越特性的垂直腔面发射激光器(VCSEL)仍处于实验室研究阶段。垂直腔面发射激光器的独特优点包括阈值电流低、易实现单纵模工作、调制频率高、发散角度小、圆形光斑、易与

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