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毫米波化合物半导体材料研究进展

发布时间:2017-09-17 22:17

  本文关键词:毫米波化合物半导体材料研究进展


  更多相关文章: 毫米波集成电路 化合物半导体 综述 砷化镓 磷化铟 氮化镓


【摘要】:毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目前国际毫米波芯片制造的材料研究热点。本文对以砷化镓、磷化铟、氮化镓为代表的毫米波化合物半导体材料技术及其发展,进行了总结与展望。
【作者单位】: 常州工学院;南京理工大学;
【关键词】毫米波集成电路 化合物半导体 综述 砷化镓 磷化铟 氮化镓
【基金】:江苏省科技项目资助(No.BRA2015076)
【分类号】:TN304.2
【正文快照】: 30~300 GHz的毫米波技术在无线通信、汽车电子、雷达遥感、射电天文、航空安检等领域愈来愈不可或缺[1-3]。2011年起,美国运输安全管理局(TSA)授权国内各大机场使用唯一“先进成像安检技术”——美国L-3公司提供的“Provision”毫米波安检系统。2015年Google向外界展示了“基

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本文编号:871677

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