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基于电-热耦合模型的IGBT模块结温计算方法

发布时间:2017-09-18 07:33

  本文关键词:基于电-热耦合模型的IGBT模块结温计算方法


  更多相关文章: IGBT模块 结温 功率损耗 电-热耦合模型


【摘要】:温度循环下的疲劳累计损伤是IGBT模块失效的主要原因,计算IGBT模块的结温对预测其寿命具有重要意义。为了研究IGBT模块工作过程中结温变化情况,首先通过计算IGBT和FWD的功率损耗建立了IGBT模块电模型,然后在分析IGBT模块热传导方式的基础上建立了IGBT模块热模型,进而基于电模型和热模型建立了IGBT模块的电-热耦合模型,最后以三相桥式逆变器为例对IGBT和FWD的结温进行了仿真分析。结果表明,由于IGBT和FWD处于开关状态,两者的结温波形均呈波动形状,且波动均值经过短时间上升后稳定于一恒定值,所以逆变器用IGBT模块开始工作后经短时间的热量积累最终达到热稳定状态;由于IGBT的开关损耗比FWD大,使得IGBT结温受开关频率的影响较大。
【作者单位】: 河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室;
【关键词】IGBT模块 结温 功率损耗 电-热耦合模型
【基金】:国家自然科学基金资助项目(51475136) 国家科技支撑计划资助项目(2015BAA09B01) 河北省科技支撑计划资助项目(15212117) 河北省自然科学基金资助项目(E2014202230)~~
【分类号】:TN322.8
【正文快照】: 绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)综合了双极型三极管和绝缘栅型场效应管两者的优点,具有开关速度快、输入阻抗高、导通压降低和载流密度大等优点,广泛应用于智能电网、交通运输及家用电器等关键领域,故IGBT的可靠性问题成为研究热点。因IGBT模块内

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本文编号:874225

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