GaAs半导体表面的等离子氮钝化特性研究

发布时间：2017-09-19 04:12

  本文关键词：GaAs半导体表面的等离子氮钝化特性研究

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【摘要】：采用射频(RF)等离子方法,对Ga As样品进行了150 W高功率等离子氮钝化及快速退火处理。经过该方法钝化后的样品,光致发光(PL)强度上升了91%。XPS分析得出,Ga As样品表面的氮化效果随着氮等离子体功率的增加而逐渐趋于明显。氮化后的样品表面未发现氧化物残余。样品在空气中加热放置30 d,PL强度下降不明显,说明表面钝化层具有良好的稳定性。
【作者单位】： 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;
【关键词】： 等离子 XPS PL GaAs
【基金】：国家自然科学基金(61176048;61177019;61308051) 吉林省科技发展计划(20150203007GX;20130206016GX) 中物院高能激光重点实验室基金(2014HEL01)资助项目
【分类号】：TN304.23
【正文快照】： 1引言高浓度表面态在禁带中造成费米钉扎现象[1],对Ga As基高功率半导体激光器的腔面稳定性带来严重影响。研究人员尝试采用多种钝化方法改善或解决这一问题。含硫钝化液对Ga As表面具有明显的PL增强效果[2],但生成的硫化物表面层性能不稳定,空气中钝化效果不能够长期保持;同

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5 ;[J];;年期

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本文编号：879419