硅碳直接反应法制备超细β-SiC粉

发布时间：2017-09-20 19:11

  本文关键词：硅碳直接反应法制备超细β-SiC粉

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【摘要】：采用碳纳米管(CNTs)为碳源,硅粉为硅源,通过煅烧,制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅(SiC)粉体,研究了1 300℃、1 400℃、1 500℃三个不同的反应温度对于SiC粉体粒度的影响,讨论了SiC颗粒形成的反应机理.表征结果显示,制备的粉体物相均为β-SiC,随着反应温度的升高,粉体粒径增大.Nicomp多波形粒径分布显示,在1 300℃条件下制备的超细SiC粉体中96.4%的颗粒粒径为95.9 nm.通过分析,推测超细SiC粉的形成机理为:反应物中存在的杂质镍与硅粉在高温下形成共熔液滴,碳纳米管进入液滴反应生成SiC晶核,进而析出晶体,晶体在高温条件下不断长大,形成超细SiC粉.碳硅直接反应法相对简单、成本低,适合大规模制备纳米及亚微米级碳化硅粉体.
【作者单位】： 武汉工程大学材料科学与工程学院;
【关键词】： 碳化硅 超细粉体 制备
【基金】：国家科技支撑计划项目(2013BAB07B05) 湖北省自然科学基金项目(2014CFB788) 武汉工程大学科学研究基金(K201465)
【分类号】：TN304.24
【正文快照】： 1引言碳化硅(Si C)材料具有硬度高、高温强度大、热导率高、化学稳定性好、热膨胀系数小、绝缘性好和带隙宽等优良性能,不仅是制备工程材料、功能材料的基本原料,同时也是较理想的增强材料,因此被广泛用于吸波材料、金属氧化物基复合材料和金属基复合材料等领域[1-3].而作为制

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