大功率IGBT有源驱动技术的研究现状与发展

发布时间：2017-09-20 21:46

  本文关键词：大功率IGBT有源驱动技术的研究现状与发展

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【摘要】：针对大功率IGBT有源驱动技术的特点,对目前大功率IGBT有源驱动电路辅助电源产生、IGBT工作参数的测量估计、结温的监测与估计、有源钳位技术的国内外动态进行了综述,提出了大功率IGBT有源驱动技术的可行性,指出了该技术存在的问题.归纳分析国内外研究成果表明,大功率IGBT有源驱动技术还不完善,有很多理论和技术问题需要进一步探索和研究.
【作者单位】： 空军预警学院;
【关键词】： 大功率IGBT 端口参数检测与估计 有源驱动 结温估计
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51177170)
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 大功率绝缘栅极双极性晶体管(insulated gatebipolar transistor,IGBT)是目前实现大功率电力电子装置智能化、大容量、高功率、高可靠性的核心器件,与大功率IGBT直接相关的门极驱动技术是保证功率器件安全可靠工作的关键因素之一.本文提出的大功率IGBT是指:UDS32400?V、IDS312，

本文编号：890607