功率MOSFET隔离驱动电路设计分析
发布时间：2017-09-22 00:27
本文关键词：功率MOSFET隔离驱动电路设计分析
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【摘要】：半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于器件结构不同,驱动要求和技术也不相同,小功率MOSFET的栅源极寄生电容一般为10~100 pF,而大功率MOSFET的栅源极寄生电容则可达1~10 nF,因此需较大的动态驱动功率。目前,对于MOSFET隔离驱动方式主要有光电耦合隔离和磁耦合隔离,一般以磁隔离为主要应用方式,在传统的MOSFET磁隔离驱动电路中,若占空比出现突变,其隔离输出的低电平则会出现上扬现象,导致开关管出现误动作,严重可能导致MOSFET器件烧毁,给出载波隔离驱动方法和边沿触发隔离驱动方法,两种方法都能克服低电平的上扬问题,通过测试对比两种驱动方式的优缺点。
【作者单位】： 哈尔滨工业大学;深圳航天科技创新研究院;哈尔滨工业大学深圳研究生院;
【关键词】： 金属氧化物半导体场效应晶体管 隔离驱动 边沿触发
【基金】：深圳市科技创新计划项目(JCYJ201404251136-37530)~~
【分类号】：TN386
【正文快照】： l引言 功率MOSFET是高频高效开关电源的关键S件,其快速开断时将会对驱动电路的电压和电流质量产生较大影响⑴,它属于电压控制型器件,利用栅极电压对栅源极寄生电容充放电以实现开关动作,其驱动性能直接影响电源效率⑵,随着电力电子系统功庿提Q懾刂频缏酚胫鞴β实缏芳湫杞，
本文编号：897762
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