铜化学机械平坦化过抛过程中平坦化效率的计算方法

发布时间：2017-09-22 03:21

  本文关键词：铜化学机械平坦化过抛过程中平坦化效率的计算方法

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【摘要】：为了确保整个晶圆片上残余铜的去除,精抛后的过抛步骤至关重要,然而在铜过抛过程中会产生铜碟形坑和介质蚀坑等问题,去除残余铜的同时控制铜碟形坑和介质蚀坑是铜化学机械平坦化(CMP)研究的最重要的课题之一。为了解决这一问题,提出了一种铜过抛化学机械平坦化过程中基于氧化反应的平坦化效率计算方法。实验显示该方法计算结果与实验数据一致。采用碱性铜精抛液对铜光片进行抛光,获得的数据显示,增加过氧化氢浓度可以获得较低的铜去除率以及几乎为零的阻挡层去除速率。布线片CMP的结果表明,增加过氧化氢浓度可以获得较小的碟形坑。对含有不同浓度过氧化氢的抛光液进行电化学实验研究,研究结果表明在铜表面有钝化层形成。综上所述,该计算方法是计算过抛过程平坦化效率的适当方法。
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;河北大学静电研究所;
【关键词】： 平坦化效率 碱性铜精抛液 过抛 过氧化氢 碟形坑 钝化层
【基金】：河北省自然科学基金项目(E2014202147) 河北省青年自然科学基金项目(F2015202267)资助
【分类号】：TN305.2
【正文快照】： 化学机械平坦化(CMP)已成为实现大体积半导体制造晶圆片表面局部和全局平坦化最有效的方法[1]。然而,传统的铜/低k介质集成电路CMP过程仍面临着许多技术挑战,包括膜剥离、划痕和脆弱薄膜的机械形变等[2]。铜布线片CMP过程中,为了确保整个晶圆片上残余铜的完全去除而增加过抛过

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1 郭东明,康仁科,苏建修,金洙吉;超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展[J];机械工程学报;2003年10期

2 邵建新;涂胶返腐法无机介质表面平坦化工艺研究[J];半导体技术;1993年05期

3 金井史幸,小池淳义;采用有机源的金属层间膜的平坦化技术[J];微电子技术;1994年04期

4 闻永祥;超大规模集成电路的平坦化技术[J];电子工程师;2000年07期

5 欧益宏,张正t，

本文编号：898501