一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计

发布时间：2017-09-24 02:22

  本文关键词：一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计

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【摘要】：在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第24研究所;
【关键词】： 抗辐射加固 金属氧化物半导体场效应管驱动器 高压集成电路(IC) 双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺
【分类号】：TN386
【正文快照】： 属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺近年来,随着空间技术和核物理技术的发展,各种电子设备已经广泛用于我国人造卫星、运载火箭和核物理试验装备中。电子设备中的元器件不可避免地会处于空间辐射和核辐射等强辐射应用环境中,各种辐射效应会对元器件的性能产生不同的

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本文编号：908815