LED制备中剥离技术的研究进展

发布时间：2017-09-26 00:29

  本文关键词：LED制备中剥离技术的研究进展

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【摘要】：随着LED芯片功率的增加,结温升高导致传统LED芯片的可靠性和使用寿命明显下降。介绍了LED芯片的研究背景,指出散热问题是制约LED芯片发展的重要因素,因此研发可靠性高的散热技术已成为制备新型LED芯片的重要研究方向。详细论述了三种剥离技术在制备新型LED芯片中所起的重要作用及目前的技术水平。激光剥离技术剥离速度快、发展相对成熟;化学剥离技术对GaN薄膜损伤小、良率高、但剥离速度慢;机械剥离技术良率低,在LED领域应用较少。从工业化生产的角度指出了剥离技术未来的发展方向。
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室;河北同辉电子科技股份有限公司;
【关键词】： 剥离 LED 散热 可靠性 使用寿命
【基金】：河北省科技计划资助项目(15211017D)
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 天津300130;3.河北同辉电子科技股份有限公司,石家庄050000)0引言从1907年H.J.Round教授[1]研发出第一支SiC发光二极管(light-emitting diode,LED)到1993年中村修二先生首先在蓝宝石衬底上生长出InGaN/GaN材料外延层实现了商用蓝光LED的制备[2]再到现在,LED已经取得了巨大发展

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本文编号：920478