逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展

发布时间：2017-09-26 21:29

本文关键词：逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展

【摘要】：逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。
【作者单位】：中国科学院中国科学院大学;中国科学院微电子研究所硅器件技术重点实验室;江苏物联网研究发展中心;
【关键词】： 功率器件 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT) 反向阻断 隔离技术 终端 混合隔离
【基金】：国家重大科技专项资助项目(2013ZX02305-005-002) 国家自然科学基金资助项目(51490681) 省院合作高技术产业化专项资金项目(2016SYHZ0026)
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 2.江苏物联网研究发展中心,江苏无锡214135)0引言在电力电子系统中,传统的交流变频方式AC-DC-AC是一种典型的变换,这种变换方式需要用到大的直流电容储能,从而使得电路系统的体积变大,十分笨拙,更为严重的问题是电容的寿命远远小于其中的功率器件寿命。矩阵变换器[1]的提出成

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