TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究

发布时间：2017-09-27 06:16

  本文关键词：TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究

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【摘要】：氧化铟锡(ITO)是薄膜晶体管工艺中最常用的透明导电薄膜,随着OLED技术的发展,ITO作为透明阳极材料也被广泛应用。在高厚度(尤其是大于70nm)非晶ITO工艺过程中,由于多种因素的影响,很容易产生残留,发生残留后会严重影响产品质量和项目进度。本文通过多次实验测试,综合多种不同厚度,尤其是针对高厚度非晶ITO,分析了TFT制程中影响残留的多种因素,考察重点因素及影响规律,有效地修正工艺条件,为之后的项目和生产过程提供了很好的参考价值。
【作者单位】： 京东方科技集团股份有限公司;
【关键词】： 薄膜晶体管 非晶氧化铟锡 残留 成膜 刻蚀
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： (BOE TECHNOLOGY GROUP CO.,LTD.,Beijing100176,China)1引言氧化铟锡(Indium Tin Oxide,简称ITO)薄膜是宽禁带半导体材料[1],具有高电导率和可见光范围的高透射率,被广泛应用到光电器件中[2]。ITO薄膜的制备方法有很多,如喷涂、蒸发、射频溅射和磁控溅射等。随着显示技术的高，

本文编号：928077