FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响

发布时间：2017-09-27 17:13

  本文关键词：FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响

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【摘要】：基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应晶体管(SOI FinFET)和体硅FinFET工艺的鳍宽和敏感面积对辐射效应的影响。SOI FinFET和体硅FinFET工艺的抗总剂量能力随着鳍宽的变化呈现相反的趋势。SOI FinFET的阈值电压漂移和亚阈值摆幅的退化随着鳍宽减小而减小,而体硅FinFET工艺的漏电流随着鳍宽减小而增大。FinFET工艺由于其自身结构的特点,与相同工艺节点下的平面工艺相比,敏感面积更小,抗单粒子翻转能力更好。从整体趋势来看,随着工艺节点的减小,FinFET工艺的本征抗总剂量能力较为可观,而本征抗单粒子翻转能力较差。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第三十八研究所;合肥师范学院电子信息工程学院;
【关键词】： 鳍式场效应晶体管(FinFET) 鳍宽 敏感面积 辐射效应 单粒子翻转
【基金】：合肥师范学院校级青年科研基金资助项目(2015QN04)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 0引言由于宇宙和外层空间存在大量的高能粒子射线,应用于航空航天电子系统的微电子器件需要具有抗辐射能力。为此,国内外有些公司专门开发了抗辐射加固工艺线。但是,这些加固工艺线通常比当前工艺节点落后,微电子器件的性能水平不及未加固工艺线的产品。为了实现更高的性能和

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1 ;MOS器件的三个辐照问题[J];微电子学与计算机;1975年05期

2 王再新;常天海;汪志成;黎曦;;MOS器件抗静电性能分析[J];安全;2007年02期

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本文编号：930903