SOI基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试

发布时间：2017-09-28 23:34

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【摘要】：在超高真空化学气相沉积设备上,利用低温生长的硅锗和锗作为缓冲层,在SOI衬底上成功外延出高质量的锗薄膜.基于谐振腔增强型探测器(RCE)理论,模拟优化了有源层和上下反射层的厚度尺寸.传输矩阵方法计算结果显示:将SOI衬底自有二氧化硅、硅层作为一对下反射层的情况下,取2对SiO_2/Ta_2O_5作为上反射层时,量子效率可以达到接近56%.制作的SOI基锗光电探测器,暗电流密度为0.65 m A·cm~(-2).在8 V的偏压下,探测器在1 550 nm处响应度1.45 m A·W~(-1),可以观察到探测器的共振现象.
【作者单位】： 厦门华厦学院信息与机电工程系;集美大学诚毅学院;厦门大学物理系光子学研究中心;
【关键词】： 锗 共振腔增强型 SOI 光电探测器
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61474094) 福建省中青年教师教育科研基金资助项目(JA15654)
【分类号】：TN36
【正文快照】： 0引言光电探测器是硅基光子学领域中重要的研究课题之一[1].硅基锗材料与硅工艺互相兼容,容易实现硅基光电集成,一些关键器件诸如调制器[2]、激光器[3]和光电探测器[4]等都已经取得了较大进展,硅基外延薄膜锗材料成为硅集成光电探测器的绝佳选择.然而,由于Ge的吸收系数在波长1

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本文编号：938758