共栅共源结构GaN HEMT开关模型

发布时间：2017-09-29 14:39

  本文关键词：共栅共源结构GaN HEMT开关模型

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【摘要】：为了计算共栅共源结构高压氮化镓(GaN)器件开关损耗,提出一种共栅共源结构GaN器件开关过程及损耗模型.通过考虑共栅共源结构中印制电路板(PCB)和引线寄生电感以及器件结电容,得出共栅共源结构GaN器件的等效电路模型,进而得到测试开关特性的双脉冲等效电路.按时间顺序将开通过程分为5个阶段,将关断过程分为4个阶段,对双脉冲等效电路进行分析和简化,并计算得出各个阶段中共栅共源结构GaN器件电压电流时域表达式,从而得到开关过程波形及损耗.在不同驱动电阻和开关电流下进行双脉冲实验,模型与实验的开关波形及损耗较吻合,表明所提出模型较准确.
【作者单位】： 浙江大学电气工程学院;
【关键词】： 氮化镓(GaN)器件 共栅共源结构 开关过程 高电子迁移率晶体管(HEMT)
【基金】：国家“863”高技术研究发展计划资助项目(SS2012AA053602)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 与传统硅(Si)器件相比,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件禁带宽度更大,击穿电场强度更高,载流子速度更快.GaN器件特有的高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)结构中包含二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG),使得其有效电子迁移率很高[1].宽禁

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本文编号：942582