热循环过程中IGBT模块封装退化研究

发布时间：2017-09-30 04:21

  本文关键词：热循环过程中IGBT模块封装退化研究

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【摘要】：IGBT模块失效的原因错综复杂,封装退化是因素之一。为剔除应用工况类因素干扰,采用更严苛的热循环试验,建立模块失效和封装退化的关联,结果分析发现,封装会出现焊层分层、母排脱附及铝线脱离等退化现象,继而导致模块失效。结合材料力学理论,得出材料选型和结构设计的原则;同时分析了工艺质量水平对封装退化的影响,并从基板焊层及拱度、金属间化合物形貌、功率端子焊接、键合技术等方面提出针对性改进措施。
【作者单位】： 新型功率半导体器件国家重点实验室;株洲中车时代电气股份有限公司;
【关键词】： 失效分析 热循环能力 封装退化 可靠性
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 0?引言IGBT因其开关频率高、损耗小及控制简单等特点被广泛应用于轨道交通、智能电网、新能源、电动汽车等领域[1]。随着应用环境苛刻度的增加以及功率密度的不断提高,封装逐渐成为制约模块长期可靠性的瓶颈。由于应用工况非常复杂,IGBT模块的失效原因通常难以明确定位。比如，

本文编号：946120