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等离子体刻蚀的多目标优化设计研究

发布时间:2017-10-01 19:04

  本文关键词:等离子体刻蚀的多目标优化设计研究


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【摘要】:在芯片制备工艺过程中,应用等离子体刻蚀技术形成需求的形貌是其中最为重要的一个过程之一。为了克服单靠实验手段获取经验的耗时长、费用高、对实验人员的经验依赖强等缺点,应用数值方法模拟等离子体刻蚀过程是很有必要的,而且为了减少单纯的试测方式带来的盲目性,在基于数值模拟的基础上,对等离子体刻蚀形貌的评价指标进行优化设计具有一定的实用意义。本文通过应用CFD软件对混合气体C4F8/AR刻蚀Si02过程进行数值模拟,研究了宏观腔室中工艺参数射频功率、腔室气压、气体比例、极板电压和微观器件的结构参数光刻胶厚度、光刻胶角度、槽口宽度对刻蚀结果评价指标刻蚀速率和横向刻蚀宽度的灵敏度。研究发现,各个参数对刻蚀速率的影响是符合等离子体刻蚀技术的物理化学机理的,而且每一个参数对刻蚀速率和横向刻蚀宽度的影响趋势是不一样的,甚至截然相反。本文选取了对刻蚀速率和横向刻蚀宽度均有一定敏感性的宏微观参数极板电压、腔室气压、光刻胶角度和槽口宽度作为关键的设计变量,对二者进行微观尺度和宏微观跨尺度的多目标优化设计。通过应用全因子试验设计方法和最优拉丁超立方试验方法选取样本点,建立近似模型,并进行优化设计。首先,对刻蚀速率和横向刻蚀宽度分别做单目标优化。基于响应面方法,径向基函数神经网络模型和Kriging模型,构造了不同的代理模型,并针对性的采用遗传算法、粒子群算法等对其构造了优化设计流程,加以优化求解。在刻蚀速率的微观结构参数的优化设计方面,将遗传算法应用于基于响应面方法构造的模型上,这种求解方法是高效的;在横向刻蚀宽度的宏微观跨尺度优化方面,将粒子群算法应用于Kriging模型上,这种求解方法是可靠的。其次,考虑到刻蚀工艺不单关心单目标,刻蚀速率和刻蚀剖面质量都是非常重要的。因此,以刻蚀速率和横向刻蚀宽度为目标函数,以微观器件结构参数为设计变量开展了针对上述两个目标函数的多目标优化设计研究,求解发现,径向基函数神经网络模型构造的存档微遗传算法(AMGA)和第二代非劣排序遗传算法(NSGA-II)是较优的;并将上述多目标优化模型及求解算法拓展到宏微观两个尺度的优化研究工作中,求解发现,Kriging模型构造的第二代非劣排序遗传算法(NSGA-II)是较优的。研究改善了刻蚀工艺参数及微结构的参数。最后,基于元胞算法,初步发展了三维的等离子体刻蚀的剖面演化的数值模拟,并对槽内电场、离子轨迹以及离子与被刻蚀表面的相互作用等内容进行了模拟仿真,结果可用于对器件表面形貌及粗糙度进行评价。
【关键词】:等离子体刻蚀 代理模型 优化设计 刻蚀速率 横向刻蚀 元胞法
【学位授予单位】:大连理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TN305.7
【目录】:
  • 摘要4-6
  • Abstract6-11
  • 1 绪论11-22
  • 1.1 研究意义和背景11-12
  • 1.2 等离子体刻蚀概述12-17
  • 1.2.1 等离子体刻蚀步骤13-14
  • 1.2.2 基于CFD的等离子体刻蚀模拟模型14-16
  • 1.2.3 微观刻蚀结果分析16-17
  • 1.3 刻蚀结果评价指标及其影响因素17-19
  • 1.4 等离子体刻蚀过程及其优化概述19-20
  • 1.5 本文主要研究内容和工作20-22
  • 2 基于代理模型的优化理论22-30
  • 2.1 常用代理模型理论22-24
  • 2.1.1 神经网络模型22-23
  • 2.1.2 响应面模型23-24
  • 2.1.3 Kriging代理模型24
  • 2.2 常用取样方法24-27
  • 2.2.1 全因子设计方法25
  • 2.2.2 交试验设计方法25-26
  • 2.2.3 拉丁超立方和最优拉丁超立方设计方法26-27
  • 2.3 多目标优化方法理论概述27-30
  • 2.3.1 多目标粒子群算法28
  • 2.3.2 多目标禁忌搜索算法28-29
  • 2.3.3 多目标遗传算法29-30
  • 3 等离子体刻蚀单目标优化研究30-41
  • 3.1 微观参数单目标优化设计30-35
  • 3.1.1 微观参数分析30-32
  • 3.1.2 优化设计过程32-34
  • 3.1.3 刻蚀指标的优化结果分析34-35
  • 3.2 宏微观参数跨尺度单目标优化设计35-39
  • 3.2.1 参数灵敏度分析35-36
  • 3.2.2 优化过程36-39
  • 3.2.3 刻蚀指标的优化结果分析39
  • 3.3 本章小结39-41
  • 4 等离子体刻蚀多目标优化研究41-56
  • 4.1 微观参数多目标优化设计42-46
  • 4.1.1 优化问题定义43
  • 4.1.2 优化过程介绍43-44
  • 4.1.3 优化结果分析及验证44-46
  • 4.2 宏微观参数跨尺度多目标优化设计46-54
  • 4.2.1 参数灵敏度分析46-48
  • 4.2.2 优化模型和优化过程48-49
  • 4.2.3 优化结果分析49-54
  • 4.3 对比分析54
  • 4.4 本章小结54-56
  • 5 基于元胞法的刻蚀剖面演化三维模拟56-70
  • 5.1 三维元胞代表体元的定义56-57
  • 5.2 入射粒子的运动轨迹57-59
  • 5.3 刻蚀表面形貌的拟合59-63
  • 5.3.1 最小二乘多项式的拟合59-60
  • 5.3.2 坐标旋转方式60-63
  • 5.4 粒子与表面的相互作用63-66
  • 5.4.1 曲面直线交点计算63-64
  • 5.4.2 曲面上某点法线方向矢量计算64-65
  • 5.4.3 基于法向量的反射向量计算65-66
  • 5.5 三维模拟刻蚀剖面演化算例66-68
  • 5.5.1 刻蚀形貌可视化模型介绍66-67
  • 5.5.2 算例展示67-68
  • 5.6 本章小结68-70
  • 结论70-72
  • 参考文献72-76
  • 攻读硕士学位期间发表学术论文情况76-77
  • 致谢77-78

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前6条

1 阎军;杨明强;严培;;等离子硅刻蚀及其工艺参数的多尺度优化[J];计算机辅助工程;2014年05期

2 杨定宇;蒋孟衡;;电感耦合等离子体源的研究进展[J];微细加工技术;2007年04期

3 戴忠玲;毛明;王友年;;等离子体刻蚀工艺的物理基础[J];物理;2006年08期

4 刘仲阳,孙官清,张大忠,陈剑宣,钟光武;电子回旋共振等离子体源的特性[J];核技术;2000年10期

5 王维彪,金长春,赵海峰,王永珍,殷秀华,范希武,梁静秋,姚劲松;干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较[J];发光学报;1998年03期

6 李晓明;;干法刻蚀技术的进展[J];半导体情报;1987年04期

中国博士学位论文全文数据库 前1条

1 王帅;双频容性耦合等离子体物理特性的混合模拟[D];大连理工大学;2008年



本文编号:955106

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