GLSI铜互连层CMP后碱性清洗液的研究

发布时间：2017-10-03 04:38

  本文关键词：GLSI铜互连层CMP后碱性清洗液的研究

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【摘要】：研究了铜互连层在化学机械平坦化(CMP)后表面残余缺陷的去除机理,并采用以碱性螯合剂(FA/OⅡ型)和非离子表面活性剂(FA/OⅠ型)为主的碱性清洗液清洗其表面,然后用缺陷检测系统和扫描电镜分析清洗后的表面,以检测不同浓度清洗液的清洗效果。其中螯合剂和活性剂对各种表面缺陷的去除有着不一样的功效,体积分数0.02%的FA/OⅡ型螯合剂和体积分数0.04%FA/OⅠ型活性剂混合组成的复合清洗液能够减少表面缺陷总数至724颗,使残余缺陷总数接近工业应用的要求。最后,通过原子力显微镜检测清洗后的铜表面状态,发现该复合清洗液可以很好地减小抛光后铜表面的粗糙度。
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学微电子研究所;
【关键词】： 铜互连层 碱性螯合剂 表面活性剂 缺陷去除 表面粗糙度
【基金】：国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308-003,2014ZX02301003-007) 河北省自然科学基金资助项目(F2015202267)
【分类号】：TN405.97
【正文快照】： 0引言在极大规模集成电路(GLSI)中,随着特征尺寸的不断减小和晶圆尺寸的增大,化学机械平坦化(CMP)成为目前实现全局平坦化的最有效的技术[1-2]。铜互连线在经过CMP后,其表面的活性很高,并且在抛光液中含有纳米级磨料和各种化学试剂,加之生产环境等人为污染,使得抛光后的的互连，

本文编号：963247