IGBT模块栅极电压米勒平台时延与结温的关系
本文关键词:IGBT模块栅极电压米勒平台时延与结温的关系
【摘要】:通过对IGBT模块栅极电压米勒平台的时延与结温Tj的关系进行研究,首先从理论角度分析了米勒平台时延温度特性;其次设计了稳定可靠的米勒时延测量系统实现栅极米勒平台时间延迟的精确测量;最后,在一定条件(恒定电压、恒定电流)下对米勒平台的时延与结温的关系进行了实验验证。理论与实验均证实,米勒平台的时间延迟随结温的变化而变化,且二者呈现非常好的线性比例关系,结温Tj每升高1℃,栅极电压米勒平台时间延长0.74ns左右。
【作者单位】: 中国科学院大学信息学院;中国科学院电工研究所;
【关键词】: IGBT 栅极电压 米勒平台 温度特性
【基金】:国家重大科技专项02专项:智能电网高压芯片封装与模块技术研发及产业化资助项目(2011ZX02603)
【分类号】:TN322.8
【正文快照】: 0引言绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor,IGBT)模块是一种由多个IGBT芯片和功率二极管芯片、陶瓷覆铜基板(direct bondingcopper substarte)、散热底板、焊接层、键合引线及功率端子组成的电力电子集成模块,已经广泛应用在新能源发电、轨道交通、航空航天
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,本文编号:965813
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