西电郝跃院士团队在先进微电子器件研究领域取得突破性进展

发布时间：2017-10-05 15:42

  本文关键词：西电郝跃院士团队在先进微电子器件研究领域取得突破性进展

  更多相关文章： 微电子器件 电容效应 器件技术 Electron 摆幅 亚阈值 研究成果 按比例缩小 宽禁带半导体 反型层

【摘要】：正日前,西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)研究领域取得了突破性进展,首次通过实验,系统地验证了铁电MOSFET器件中的负电容效应以及负电容对器件电流和亚阈值摆幅的提升作用。在美国旧金山举行的2016年IEEE International Electron Devices Meeting
【关键词】： 微电子器件;电容效应;器件技术;Electron;摆幅;亚阈值;研究成果;按比例缩小;宽禁带半导体;反型层;
【分类号】：TN386
【正文快照】： 日前,西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)研究领域取得了突破性进展,首次通过实验,系统地验证了铁电MOSFET器件中的负电容效应以及负电容对器件电流和亚阈值摆幅的提升作用。在美国旧金山举行的2016年IEEE

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本文编号：977635