高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨

发布时间：2017-10-06 12:26

  本文关键词：高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨

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【摘要】：紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光效率的新途径、新方法。为此,本文通过金属有机气相外延技术外延生长了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al组分AlGa N多量子阱结构材料,并对其进行变温光致发光谱测试,结合数值计算,深入探讨了Al Ga N量子阱的发光机制。研究表明,量子阱中具有很强的局域化效应,其发光和局域激子的跳跃息息相关,而发光的猝灭则与局域激子的解局域以及位错引起的非辐射复合有关。
【作者单位】： 厦门大学物理系福建省半导体材料及应用重点实验室半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;
【关键词】： AlGaN 多量子阱结构 深紫外LED 发光机制
【基金】：“973”国家重点基础研究发展计划(2012CB619300) “863”国家高技术研究发展计划(2014AA032608) 国家自然科学基金(U1405253;61227009;11204254;11404271) 福建省自然科学基金(2015J01028)资助项目
【分类号】：TN304
【正文快照】： 1引言Al Ga N半导体材料具有很宽的直接带隙,禁带宽度从3.4~6.2 e V连续可调,使其光响应波段覆盖从近紫外(UVA)到深紫外(UVC)波段(200~365 nm)。此外,Al Ga N基半导体材料具有高热导率、高电子饱和速率、高击穿电压、低介电常数、抗辐射、以及稳定的物理化学性质等诸多优异性

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本文编号：982795