一种200V垂直型恒流二极管的优化设计

发布时间：2017-10-06 17:26

  本文关键词：一种200V垂直型恒流二极管的优化设计

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【摘要】：恒流二极管具有很高的动态阻抗、很好的恒流性能以及负温度特性,被广泛应用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。设计了一种200V垂直耗尽型恒流二极管,对其电学参数进行了仿真,优化了外延厚度与浓度、沟道浓度、JFET区长度、栅氧层厚度等参数,并对终端结构进行了设计。最终成功设计出一个夹断电压小于5V,击穿电压约为250V,电流约为1.5×10~(-5)A/μm,恒流特性良好的恒流二极管。
【作者单位】： 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;四川长虹电器股份有限公司;
【关键词】： 恒流二极管 恒流特性 击穿电压 夹断电压
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61376080) 广东省自然科学基金资助项目(2014A030313736)
【分类号】：TN31
【正文快照】： 2.四川长虹电器股份有限公司,四川绵阳621000)1引言恒流二极管(Current Regulator Diode,CRD)是一种半导体恒流器件,可以在一定的工作电压范围内提供一个恒定的电流值[1]。它具有很高的动态阻抗、很好的恒流性能,并且价格便宜、使用简便,被广泛应用到恒流源、稳压源、放大器以

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2 陈刚;柏松;李峗;陶然;刘奥;杨立杰;陈堂胜;;高压SiC JFET研究进展[J];固体电子学研究与进展;2013年03期

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4 ;硫离子注入制备N.GaAs薄层[J];北京师范大学学报(自然科学版);1975年02期

5 ;[J];;年期

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1 张康;一种垂直型恒流二极管的研究与设计[D];电子科技大学;2016年

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本文编号：984050