国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应

发布时间：2017-10-08 20:33

  本文关键词：国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应

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【摘要】：功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)空间使用时易遭受重离子轰击产生单粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿)。本文对国产新型中、高压(额定电压250 V,500 V)抗辐照功率MOSFET的单粒子辐射效应进行了研究,并采取了有针对性的加固措施,使器件的抗单粒子能力显著提升。结果表明:对250 V KW2型功率MOSFET器件进行Bi粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到250 V;对500 V KW5型功率MOSFET器件进行Xe粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到400 V,并且当栅压为-15 V时,安全工作的漏极电压也达到400 V,说明国产中、高压功率MOSFET器件有较好的抗单粒子能力。
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;
【关键词】： 功率金属-氧化物半导体场效应晶体管 单粒子效应 抗辐射加固
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61204110) 中国科学院重点实验室基金资助项目(CXJJ-15S079)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 由于功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有输入阻抗高,驱动功率低,开关速度快,热稳定性好等特点,同时还具有负温度系数、无双极晶体管所谓的二次击穿等优点,在航空、航天、核工程等极端复杂环境下的应用越来越广泛[1-3]。众所周知,空间中存在着大量的带电粒子及宇宙

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