泥岩涂抹变形机制的物理实验模拟研究
[Abstract]:In this paper, the main control factors affecting mudstone smearing development were simulated by means of physical simulation. According to the existing experimental conditions and the research status of structural physics experiment at home and abroad, the experimental sandbox suitable for this experiment is designed and manufactured. Based on the calculation of the similarity ratio of the physical properties of the actual rock, the ideal material for simulating the experiment of mudstone smearing is finally determined. For the first time, dry clay is used to simulate the deformation of plastic layer in the upper crust, which effectively avoids the siphon phenomenon of quartz sand. In the experiment, the main factors affecting mudstone smearing formation were taken as variables, and the influence of clay layer thickness, clay / soil ratio, energy-dryness difference and combination mode on mudstone smearing development was simulated. The distribution and variation of shear strain on the profile of the experimental model were calculated by using PIV (Particle Image Velocimetry) technique, and then the characteristics of fault development and the formation and evolution of mudstone smearing were discussed. It has been proved by many experiments that the position where mudstone smears are most likely to lose continuity is (cutoffs). Near the turning point of the lower disk of the normal fault. Under the condition of similar sequence, the larger the mud-soil ratio is, the more favorable the mudstone smear formation is. When the dry property of quartz sand layer at the top and bottom of sand-mud interlayer is stronger than that of interbedded quartz sand in sand-mud interlayer, the difference of energy dryness will affect the deformation of sand-mud interlayer as a whole. With the increase of fault distance, the development of fault presents a stage, and it is beneficial to mudstone smear formation at the stage of fault segment growth.
【学位授予单位】:东北石油大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:P618.13
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,本文编号:2450509
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