IGS电离层图内插区域电离层电子含量精度分析
发布时间:2017-07-27 14:10
本文关键词:IGS电离层图内插区域电离层电子含量精度分析
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【摘要】:本文以重庆CORS网2007年第247天5个基准站观测数据为例,首先采用平滑伪距观测值解算各个基准站上空的VTEC值,然后将其中的4个测站穿刺点处的VTEC值采用克里金插值法内插YUBE站上空的穿刺点处的VTEC,发现克里金插值法内插的电离层穿刺点的VTEC值精度是可靠的,且比高精度的广义三角级数函数模型计算精度更高。再利用IGS电离层图,采用电离层穿刺点周围4个电离层图点和包含电离层穿刺点的所有格网点内插BANA站整点时刻的电离层VTEC值,经比较发现两者的内插精度基本一致。最后,利用包含电离层穿刺点的所有IGS电离层图点内插重庆CORS网5个基准站上空的整点时刻电离层VTEC值,经分析发现由IGS电离层图内插的5个基准站上空的VTEC值均比采用平滑伪距观测值解算的VTEC值偏大,约3.454TECU,且插值结果精度低于广义三角级数函数模型计算精度。
【作者单位】: 重庆工程职业技术学院;国家测绘地理信息局重庆测绘院;
【关键词】: 克里金法插值 电离层图 电离层垂直总电子含量
【基金】:重庆工程职业技术学院重点课题(编号:KJA201408) 重庆市教育委员会科学技术项目(编号:KJ1503308)
【分类号】:P228.4
【正文快照】: 0引言IGS发布的全球电离层图的覆盖范围为南纬87.5°~北纬87.5°、东经180°~西经180°,电离层图提供经度5°间隔和纬度2.5°间隔的格网点的垂直总电子含量(VTEC),每2个小时一幅图,每天的数据文件是从UTC00:00时到UTC24:00时,共13个整点时刻的电离层电子含量图。全球电离层图
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,本文编号:581792
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