HCl浓度对多孔硅微结构及Si-H键合的影响

发布时间：2017-10-21 22:22

  本文关键词：HCl浓度对多孔硅微结构及Si-H键合的影响

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【摘要】：采用电化学湿法刻蚀制备了P型多孔硅,通过改变HCl溶液浓度来调整刻蚀液中的氢离子浓度。制备出的多孔硅孔径相同,孔深随着氢离子浓度的提高呈线性增大直至恒定。基于电流突发模型阐述了结构参数的变化:孔径的形成开始于刻蚀的初始阶段,空穴主导了初始阶段的腐蚀,空穴的迁移与消耗过程就是孔径扩张和孔壁形成的过程,该过程与硅片本身的性能密切相关,与氢离子浓度无关,故孔径基本恒定;氢离子浓度的提高加快氢的置换反应直至平衡,从而使反应总速率提高直至恒定,因此孔深先线性增大然后保持恒定;Si-H含量在一定范围内与孔深的变化吻合呈现上升趋势,且键合形式以Si-H2为主。
【作者单位】： 保密通信重点实验室;辐射物理及技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所;
【关键词】： 无机非金属材料 HCl 多孔硅 微结构 Si-H 电流突发模型
【基金】：国家自然科学基金青年科学基金11005076;11305029 中国电子科技集团公司第三十研究所协作项目~~
【分类号】：O613.72
【正文快照】： Effect of the Concentration of Hydrochloric Acid on theMicrostructure and Si-H Bonds in Porous SiliconAN Hongzhang1WU Kaijun1XIAO Ting2ZHAN Changyong2REN Ding1,2**1.Science and Technology on Communication Security Laboratory,Chengdu 610041,China2.Key Lab

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本文编号：1075503