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石墨二炔电子特性调控及性能的理论研究

发布时间:2017-12-02 07:01

  本文关键词:石墨二炔电子特性调控及性能的理论研究


  更多相关文章: 第一性原理 石墨二炔 掺杂 电场调控


【摘要】:石墨二炔作为一种新的碳的同素异形体,具有丰富的碳化学键、优良的稳定性以及光电性能。自从2010年γ相石墨二炔被成功合成后,科研人员对其光电、储能和催化等性能做了大量研究工作,但关于石墨二炔电子特性调控以及相关性能的研究较少。为了使石墨二炔在电子器件领域的应用更广,通过掺杂以及电场来调控石墨二炔的电子特性显得十分重要。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了B掺杂、N掺杂以及B、N共掺杂对γ相、β相、α相石墨二炔光电性能的影响,并分析了电场对本征以及掺杂石墨二炔电子性能的调控作用,主要研究结论如下:1、对于三种石墨二炔,B更易替代sp2杂化的C原子掺杂在1#位,N更易替代sp杂化的C原子掺杂在2#位。N的杂质形成能均小于B,说明石墨二炔更易形成n型半导化掺杂。随着B、N掺杂浓度的提高,体系的杂质形成能逐渐增大,稳定性逐渐降低。对于γ相、β相石墨二炔,随着B、N掺杂浓度的提高,体系由非简并逐渐转变为简并半导体,带隙逐渐减小;B、N共掺更易形成临位掺杂的形式,掺杂后根据掺杂位的不同带隙增大或者减小。对于a相石墨二炔,不同类型掺杂后体系均产生了一定的带隙,改善了零带隙的状况。B、N掺杂均可以使丫相、p相石墨二炔的光吸收边红移,掺杂浓度提高后吸收边的红移现象有所减弱,B、N共掺杂可以使光吸收边红移或者蓝移。对于α相石墨二炔,不同类型掺杂后体系的光吸收边均会产生红移。2、电场能够有效调控三种石墨二炔的带隙,随着电场强度的增大,γ相、p相石墨二炔的带隙呈递减趋势,D相石墨二炔带隙减小较快,带隙减小的原因是电场破坏了体系的静电势,电荷重新分布,产生了巨斯塔克效应。a相石墨二炔则在电场作用下由零带隙转变为直接带隙半导体,带隙呈递增趋势。3、随着不同方向电场强度的增大,掺杂石墨二炔体系并未出现统一的带隙变化趋势,电场方向强烈影响体系的电子性能。电场作用下B、N共掺杂石墨二炔带隙的变化趋势和本征石墨二炔类似,随着不同方向电场强度的增大,B、N共掺杂1γ相、p相石墨二炔的带隙呈现递减趋势,B、N共掺杂α相石墨二炔的带隙递增或者缓慢递减。
【学位授予单位】:西北大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:O613.71

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本文编号:1244012

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