基于过渡金属配合物的阻变存储材料

发布时间：2017-12-05 04:08

  本文关键词：基于过渡金属配合物的阻变存储材料

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【摘要】：阻变型电存储依靠外加电场作用下存储介质的导电性高低差异,即电学双稳态或多稳态来实现数据存取,并具有高容量、高柔韧性、低成本、低能耗、可规模化等优点,为下一代高密度存储技术提供新前景.除了无机氧化物、碳纳米材料、有机小分子和有机聚合物半导体材料之外,近年来,过渡金属配合物在阻变型电存储方面的应用也引起广泛关注.本文对迄今为止报道的大部分基于过渡金属配合物的阻变存储材料进行了总结和讨论,主要包括第VⅢ族金属[包括Fe(Ⅱ)、Ru(Ⅱ)、Co(Ⅲ)、Rh(Ⅲ)、Ir(Ⅲ)、Pt(Ⅱ)等配合物]、第IB族和ⅡB族金属[Cu(Ⅱ)、Au(Ⅲ)、Zn(Ⅱ)等配合物]和镧系过渡金属配合物[Eu(Ⅲ)及其它],并对各种配合物的存储行为和存储机理进行了探讨.过渡金属配合物具有清晰可逆的氧化还原过程,通过改变配体的结构和金属的种类可以很方便地调节材料的前线轨道能级和能隙,利于形成电学双稳态或多稳态,达到二进制或多进制存储的目的,具有潜在应用价值.
【作者单位】： 中国科学院化学研究所光化学重点实验室;中国科学院大学化学与化工学院;
【基金】：国家自然科学基金(21271176,21472196,21521062,21501183) 科技部重大仪器设备开发专项(2012YQ120060) 中科院先导B(XDB 12010400)项目资助~~
【分类号】：O641.4
【正文快照】： 1引言基于电阻突变的电存储概念最早由华裔科学家蔡少棠[1]在1971年提出.在随后的几十年,尤其是2000年以后,关于阻变式存储的材料和器件研究在全世界范围内掀起热潮[2].阻变型电存储的数据存取依靠外加电场作用下存储介质的导电性高低差异,即电学双稳态或多稳态来实现,具有器

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