极性分子键角与键偶极矩的关系

发布时间：2018-04-23 02:27

  本文选题：极性分子 + 键角　； 参考：《物理化学学报》2016年07期

【摘要】：研究了基态极性分子的键角和键偶极矩之间的关系。我们采用原子偶极矩校正的Hirshfeld(ADCH)电荷来计算键偶极矩,利用电子的局域函数和键临界点处的局域函数值来分析键的电子结构。通过对IVA族(IVA=C,Si,Ge)、VA族(VA=N,P,As)、VIA族(VIA=O,S,Se)和VIIA族(VIIA=F,Cl,Br)元素形成的系列共价型基态分子,以及环状基态分子的键角和键偶极矩数据进行分析,发现在键的电子结构类似的情况下,由于键偶极矩的排斥作用,这些分子的键角随键偶极矩的增加而增大。这一发现有助于加深我们对分子几何结构的认识。
[Abstract]:The relationship between the bond angle and the bond dipole moment of the ground state polar molecule is studied. We calculate the bond dipole moment by using the atomic dipole moment corrected Hirshfeldt ADCH charge, and analyze the electronic structure of the bond by using the local function of the electron and the local function at the critical point of the bond. In this paper, a series of covalent ground-state molecules formed by the elements of the IVA family, the IVA family and the VIIA family, as well as the bond angle and the bond dipole moment of the ring ground-state molecules are analyzed. It is found that the electronic structure of the bonds is similar to that of the bonds. Due to the repulsive effect of bond dipole moment, the bond angle of these molecules increases with the increase of bond dipole moment. This discovery helps to deepen our understanding of molecular geometry.
【作者单位】： 北京科技大学化学与生物工程学院化学与化学工程系功能分子与晶态材料科学与应用北京市重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(21173020,21473008)资助项目~~
【分类号】：O641.1

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本文编号：1790049