磁场结构对Ф300 mm直拉单晶硅碳杂质的影响研究

发布时间：2018-05-03 21:16

  本文选题：单晶硅 + 勾型磁场　； 参考：《人工晶体学报》2017年11期

【摘要】：本文利用CGSim晶体生长软件分析了不同磁场结构对直拉单晶硅中碳杂质含量的影响。结果表明,气氛中的碳原子主要通过熔体自由表面上靠近坩埚壁一侧区域扩散进熔体。通过调节对称磁场和非对称磁场的结构参数来抑制碳原子掺入区域的对流强度,增大碳原子扩散层的厚度,进而降低熔体中的碳原子浓度,最终获得低碳含量的直拉单晶硅。
[Abstract]:The influence of magnetic field structure on carbon impurity content in Czochralski silicon has been analyzed by CGSim crystal growth software. The results show that the carbon atoms in the atmosphere diffuse into the melt mainly through the region near the crucible wall on the free surface of the melt. By adjusting the structural parameters of symmetric magnetic field and asymmetric magnetic field, the convection intensity of carbon atom doping region is restrained, the thickness of diffusion layer of carbon atom is increased, and the concentration of carbon atom in melt is reduced, finally, Czochralski silicon with low carbon content is obtained.
【作者单位】： 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室;
【基金】：宁夏高等学校科学技术研究项目(NGY2015032)
【分类号】：O613.72;O782

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本文编号：1840123