光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能

发布时间：2018-12-19 13:34

【摘要】：采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga_2O_3单晶相比,β-Ga_2O_3:In单晶在红外波段存在明显吸收。β-Ga_2O_3:In单晶的电导率在10~( 2)量级,Holl载流子浓度可以达到6×10~(19)/cm~2,说明掺杂In~(3+)对β-Ga_2O_3单晶的电学性能有明显改善。
[Abstract]:尾-Ga_2O_3:In single crystals with size f (7 ~ 9 mm) 脳 (30 ~ 35 mm) have been grown by optical floating zone method. X-ray diffraction phase analysis shows that 尾-Ga_2O_3:In single crystals are still monoclinic. The absorption spectra and electrical properties of 尾-Ga_2O_3:In single crystals with different In dopants were studied. The results show that compared with pure 尾-Ga_2O_3 single crystal, 尾-Ga_2O_3:In single crystal has obvious absorption in infrared band. The conductivity of 尾-Ga_2O_3:In single crystal is in the order of 10 ~ (2). The concentration of Holl carrier can reach 6 脳 10 ~ (19) / cm~2,. The results show that doped In~ (3) can improve the electrical properties of 尾-Ga_2O_3 single crystals.
【作者单位】： 中国科学院上海硅酸盐研究所人工晶体研究中心;中国科学院上海硅酸盐研究所透明光功能无机材料重点实验室;同济大学物理科学与工程学院;上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹);
【基金】：国家自然科学基金项目(91333106) 上海科委科技攻关项目(13521102700) 上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹)(14DZ2252500)资助项目 中央高校基本科研业务费专项资金项目(2015KJ040,1370219229)
【分类号】：O782

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