液态GaAs快速结晶过程中的微观结构演变

发布时间：2019-02-15 16:45

【摘要】：采用分子动力学方法对液态Ga As在1×10~(10) K/s冷速下的快速结晶过程进行模拟,并采用双体分布函数、原子平均能量、键角分布函数、二面角分布函数和可视化等方法对凝固过程的微观结构变化进行分析.结果表明:凝固过程中,Ga As的结晶温度T_c为1460 K,当温度高于T_c时,体系处于液态无规网络结构;当温度低于T_c时,Ga和As原子迅速形核结晶,形成闪锌矿为主的多晶结构,并在晶界处形成共晶格孪晶结构,其中晶界处形成一层纤锌矿结构.在温度低于520 K时,As原子偏聚形成简单立方结构As_8.
[Abstract]:The rapid crystallization process of liquid Ga As at 1 脳 10 ~ (10) K / s cold rate was simulated by molecular dynamics method. The double body distribution function, atomic average energy and bond angle distribution function were used. The dihedral angle distribution function and visualization were used to analyze the microstructure of solidification process. The results show that the crystallization temperature (T _ c) of, Ga As is 1460 K during solidification. When the temperature is higher than T _ p _ c, the system is in a liquid random network structure. When the temperature is lower than T _ c, the Ga and As atoms rapidly nucleate and crystallize, forming a sphalerite dominated polycrystalline structure and a common lattice twin structure at the grain boundary, in which a wurtzite structure is formed at the grain boundary. When the temperature is below 520K, the As atoms are segregated to form a simple cubic structure As_8..
【作者单位】： 贵州大学大数据与信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(61264004,51661005) 贵州省科技厅和贵州大学联合项目(黔科合LH字[2014]7610,[2016]7430) 贵州省教育厅“125”重大科技专项(黔教合重大专项字[2012]003) 贵州省高层次创新型人才培养项目资助
【分类号】：O614.371;O76

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本文编号：2423532