倾斜L形手性结构的制备以及圆二色性
【图文】:
在室温条件下,采用正入射激发倾斜L手性结构,采集的谱线范围在300~900nm波段.1.2结构和计算方法基于图1(b)的SEM形貌,建立了单个右手倾斜L手性结构的模型,如图2.建模参量选取如下:周期为Px=500nm和Py=500nm、L形手性结构两臂宽分别取w1=80nm和w2=100nm;两臂长度分别取l1=120nm和l2=160nm;银厚度为tb=20nm,二氧化硅厚度为ta.图2中I浅色材料为金属银,银的介电常量取自实验结果[27];深色材料为二氧化硅,折射率取n=1.45.本文应用COMSOLMultiphysics有限元仿真图2右手性结构Fig.2GeometricmodeloftheRight-handedchiralnanostructure软件数值研究倾斜L手性结构阵列的透射特性.透射率定义为通过倾斜L形手性结构的出射功率Pout与入射口的入射功率Pin之比,即T=Pout/Pin.圆偏振光垂直照射在该阵列结构上,右旋(左旋)光照射下的透射系数为TRCP(TLCP),圆二色性表示为:ΔT=TRCP-TLCP[21].2结果与讨论为了研究二氧化硅厚度ta对倾斜L形手性结构CD的影响,制备并采集不同二氧化硅厚度ta时,,倾斜L形手性结构的CD谱线,如图3.左手结构的CD谱线用带三角图标的浅色实线表示,右手性结构用黑色实线表示.结果表明,左手和右手结构的CD信号呈镜像分布,信号强
在室温条件下,采用正入射激发倾斜L手性结构,采集的谱线范围在300~900nm波段.1.2结构和计算方法基于图1(b)的SEM形貌,建立了单个右手倾斜L手性结构的模型,如图2.建模参量选取如下:周期为Px=500nm和Py=500nm、L形手性结构两臂宽分别取w1=80nm和w2=100nm;两臂长度分别取l1=120nm和l2=160nm;银厚度为tb=20nm,二氧化硅厚度为ta.图2中I浅色材料为金属银,银的介电常量取自实验结果[27];深色材料为二氧化硅,折射率取n=1.45.本文应用COMSOLMultiphysics有限元仿真图2右手性结构Fig.2GeometricmodeloftheRight-handedchiralnanostructure软件数值研究倾斜L手性结构阵列的透射特性.透射率定义为通过倾斜L形手性结构的出射功率Pout与入射口的入射功率Pin之比,即T=Pout/Pin.圆偏振光垂直照射在该阵列结构上,右旋(左旋)光照射下的透射系数为TRCP(TLCP),圆二色性表示为:ΔT=TRCP-TLCP[21].2结果与讨论为了研究二氧化硅厚度ta对倾斜L形手性结构CD的影响,制备并采集不同二氧化硅厚度ta时,倾斜L形手性结构的CD谱线,如图3.左手结构的CD谱线用带三角图标的浅色实线表示,右手性结构用黑色实线表示.结果表明,左手和右手结构的CD信号呈镜像分布,信号强
【作者单位】: 陕西师范大学物理学与信息技术学院;
【基金】:国家自然科学基金(No.61575117) 中央高校基本科研业务费专项(Nos.GK201601008,GK201603015)资助~~
【分类号】:O613.72;O657.3
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本文编号:2533263
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