含铟的多元氧化物半导体光催化剂的制备与性能研究
【学位授予单位】:苏州大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:O643.36;O644.1
【图文】:
含铟的多元氧化物半导体光催化剂的制备量太高,引起的导电作用几乎可以忽略不计;半导体的禁带宽度较,带隙宽度一般在 1~4eV。当半导体光催化剂在受到能量大于 Eg带上的电子会被激发,受激的电子会穿过禁带进入导带,使得原本子而价带因失去电子形成空穴[10-12],光生载流子的参与使催化反应
4图 1-2 光催化裂解水制氢示意图[27]Fig. 1-2 Mechanism of photocatalytic water splitting for H2化碳光还原求的迅速增长,使二氧化碳的排放也急剧增加,温室效应引起的一早已经制约了人类的发展。如何缓解温室效应,减少大气中的 CO决的环境问题之一。模拟自然界中植物的光合作用,利用半导体光使太阳能以化学能的形式保存下来,为解决这一难题提供了可能。直接的产物就是 CH4[28],CH3OH[29],HCOOH[30,31],HCHO[32],虽很低而且都还处于实验室研究的阶段,但是,通过日后对催化剂体
【参考文献】
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本文编号:2734880
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