基于多稠环梯型共轭单元的n型有机半导体的合成及应用
【学位单位】:苏州大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:O649.5
【部分图文】:
图 1-1A-D-A 型非富勒烯受体材料结构示意图1.2.2 通过在分子内稠环上拉电子基团构建 n 型有机半导体通过在多稠环梯形共轭分子骨架内引入拉电子的官能团可以将一般表现为 型的多稠环梯型共轭分子转变为 n 型的共轭分子(Scheme 1-2)。其中最常见的是利用强拉电子能力的酰胺基团作为桥环,例如常见的萘二酰胺(NDI)和傒二酰胺(PDI)等。同样的 Marks 组通过将联噻吩和酰胺基团稠环设计合成了 n 型的BTI 单元[5];Ding 及其合作者同样通过引入酰胺基团设计合成了具有 5 元稠环的TPTI 受体单元;同样的 Pei[6],Takimiya[7]和 Kim[8]报道了 TPTI 的异构体 TP单元。但是由于 TPTI 和 TPT 都是内酰胺的结构,分子中含有的酰胺基团的拉电性还是不足以使基于 TPTI 和 TPT 单元的共聚物表现为 n 型。因此,Osaka 等在
基于多稠环梯型共轭单元的 n 型有机半导体的合成及应用 第一章 绪论管类似。典型的有机场效应晶体管包括三种主要材料成分(如图 1-3a):(a)一种可作为源极 S、漏极 D、栅极 G 的导体材料;(b)绝缘的介电层材料;(c)提供可变导元素的有机半导体材料。晶体管结构包括顶栅和底栅结构两种。顶栅结构中,源极和漏极沉积在基底上,紧接着是有机半导体材料层,介电层,最后再沉积上栅极。在顶栅结构(如图 1-3b),有机半导体材料被基底和介电层封闭起来。底栅结构中,栅极直接沉积在基底上(重掺杂的硅作基底和栅极)。热生长制备的 SiO2或其他绝缘层材料作为介电层紧接着沉积在栅极上。之后根据源极和漏极的沉积顺序又可将底栅结构进一步分成底栅底接触(BGBC)和底栅顶接触(BGTC)两种。在底栅底接触结构中(图 1-3c),源极和漏极在介电层上面,而后是半导体材料层;而在底栅顶接触结构中(图 1-3d),介电层之后是半导体层,随后沉积源极和漏极。
一章 绪论 基于多稠环梯型共轭单元的 n 型有机半导体的合成及轭骨架的多稠环梯型共轭单元(如图 1-6),然后引入强拉电子基团设计合有机半导体。具体内容包括:第二章基于硒吩梯型稠环单元的非富勒烯受体在有机太阳能电池中的应用;第三章基于十元梯型稠环单元的非富勒烯受体在有机太阳能电池中的应用;第四章基于酰胺类梯型稠环单元的聚合物受体在有机场效应晶体管中应用。
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本文编号:2821112
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