几种铌酸盐晶体的探索及性能研究
发布时间:2021-02-11 15:44
铌酸盐晶体是晶体材料研究的主流之一,它具备良好的压电和铁电性能、电光效应和光折变效应等性质,在压电器件、激光倍频、热释电器件、电容器、电光调制器以及滤波器等方面都有着重要的应用。随着科学技术的高速发展,仪器设备开始趋于智能化、集成化、小型化和多功能化,这对晶体材料提出了更高的要求,因而新型铌酸盐晶体材料及其应用的探索研究对晶体材料的发展具有重要的理论和现实意义。探索更多实用化的铌酸盐晶体材料并研究它们的性能和应用前景是必要的,本文主要探索并研究了几种新型铌酸盐晶体TbNbO4、Ba6Ti2Nb8O30和Sr6Ti2Nb8O30,表征了它们的基本性能,探索它们可能的应用前景。主要的研究工作和结果如下:(1)晶体生长根据TbNbO4、Ba6Ti2Nb8O30和Sr6...
【文章来源】:山东大学山东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:100 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
铁电体电滞回线图
种不同的空位:2个十二配位的四棱柱间隙A1,4个十五配位的五棱柱间隙A2??以及4个三棱柱间隙62],因此钨青铜结构的化学通式可写为??(Al)2(A2)4(C)4(Bl)2(B2)8O30,图1-2为钨青铜结构的晶胞在(001)面上的投影示意??图。??飯,??图1-2四方钨青铜结构在(001)面上的投影示意图??一般而言,Al、A2位置上的离子需要能够接纳较大的配位数〇>9),因此它??受限于一些半径较大的碱金属和稀土金属等,例如:Na+、K+、Ca2+、Sr2'?Ba2+、??7??
体结晶于籽晶上;通过籽晶不停地向上旋转提拉,下部的熔体始终具有生长所需??的过冷度,而籽晶与熔体接触的界面上不停地出现原子或者分子基团的重新排列,??然后逐渐生长出单晶,如图2-1所示。??疆:??:';:'——??籽晶杆???籽晶?????晶体???????::=:=:-:::::=?^?轉???:二二二二二二二二二二二二=:?/?坩埚??:二二二二二二二二二二二与 ̄ ̄^?熔体??图2-1晶体生长原理不意图??2.2.2多晶料合成??高质量的多晶料是获取优质晶体的保障,本论文中生长的各个晶体所需的多??晶料均是通过传统的固相合成方法获得的。使用的化学原料的纯度均为4N级??(99.99?%)高纯的TbNbCU、BaC03、SrC03、Ti02以及Nb205。将原料烘干处理后,??按照化学计量比称量出TbNb〇4、Ba6TbNb8〇3〇和Sr6Ti2Nb803()多晶原料,为防??止多晶料在提拉炉内出现坩埚氧化、原料迸溅和挥发等现象,还需对配制出的多??晶料进行混合、压制与烧结。多晶料制备方程式如下:??2Tb4〇7?+?4Nb2〇5?^?8TbNb04?+?02?t??6BaC〇3?+?2Ti〇2?+?4Nb2〇5? ̄Ba6Ti2Nbs〇3〇?+?6CO2?t??6SrC〇3?+?2Ti02?+?4Nb2〇5?—?Sr6Ti2Nb8〇3〇?+?6CO2?T??20??
【参考文献】:
期刊论文
[1]负热膨胀铁电晶体研究进展[J]. 刘文斌,田甜,徐家跃. 人工晶体学报. 2017(02)
[2]铌、钽酸盐系列陶瓷材料的结构特性及其研究进展[J]. 卓蓉晖,胡言. 陶瓷. 2004(02)
[3]钨青铜(TB)型晶体材料的分子设计及其新进展[J]. 徐钦华,陈林丽,周湖云,雷新荣,陆琦. 材料导报. 2003(01)
[4]关于钨青铜结构铌酸盐晶体的通式及其阳离子占位探讨[J]. 张高科,欧阳世翕,吴伯麟. 人工晶体学报. 1996(03)
[5]用布里渊散射法测量Li2B4O7单晶的弹性系数和压电系数[J]. 易明,廖理几. 北京工业大学学报. 1992(01)
[6]成型压力对瓷介电容器性能的影响[J]. 段仁官. 电子元件与材料. 1992(01)
[7]干涉法测量Cd(C4H8N2S)3Cl2晶体的压电系数[J]. 尹鑫,张囡,袁多荣,蒋民华. 人工晶体学报. 1989(04)
博士论文
[1]高温压电晶体的生长、性能表征和应用研究[D]. 于法鹏.山东大学 2011
本文编号:3029337
【文章来源】:山东大学山东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:100 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
铁电体电滞回线图
种不同的空位:2个十二配位的四棱柱间隙A1,4个十五配位的五棱柱间隙A2??以及4个三棱柱间隙62],因此钨青铜结构的化学通式可写为??(Al)2(A2)4(C)4(Bl)2(B2)8O30,图1-2为钨青铜结构的晶胞在(001)面上的投影示意??图。??飯,??图1-2四方钨青铜结构在(001)面上的投影示意图??一般而言,Al、A2位置上的离子需要能够接纳较大的配位数〇>9),因此它??受限于一些半径较大的碱金属和稀土金属等,例如:Na+、K+、Ca2+、Sr2'?Ba2+、??7??
体结晶于籽晶上;通过籽晶不停地向上旋转提拉,下部的熔体始终具有生长所需??的过冷度,而籽晶与熔体接触的界面上不停地出现原子或者分子基团的重新排列,??然后逐渐生长出单晶,如图2-1所示。??疆:??:';:'——??籽晶杆???籽晶?????晶体???????::=:=:-:::::=?^?轉???:二二二二二二二二二二二二=:?/?坩埚??:二二二二二二二二二二二与 ̄ ̄^?熔体??图2-1晶体生长原理不意图??2.2.2多晶料合成??高质量的多晶料是获取优质晶体的保障,本论文中生长的各个晶体所需的多??晶料均是通过传统的固相合成方法获得的。使用的化学原料的纯度均为4N级??(99.99?%)高纯的TbNbCU、BaC03、SrC03、Ti02以及Nb205。将原料烘干处理后,??按照化学计量比称量出TbNb〇4、Ba6TbNb8〇3〇和Sr6Ti2Nb803()多晶原料,为防??止多晶料在提拉炉内出现坩埚氧化、原料迸溅和挥发等现象,还需对配制出的多??晶料进行混合、压制与烧结。多晶料制备方程式如下:??2Tb4〇7?+?4Nb2〇5?^?8TbNb04?+?02?t??6BaC〇3?+?2Ti〇2?+?4Nb2〇5? ̄Ba6Ti2Nbs〇3〇?+?6CO2?t??6SrC〇3?+?2Ti02?+?4Nb2〇5?—?Sr6Ti2Nb8〇3〇?+?6CO2?T??20??
【参考文献】:
期刊论文
[1]负热膨胀铁电晶体研究进展[J]. 刘文斌,田甜,徐家跃. 人工晶体学报. 2017(02)
[2]铌、钽酸盐系列陶瓷材料的结构特性及其研究进展[J]. 卓蓉晖,胡言. 陶瓷. 2004(02)
[3]钨青铜(TB)型晶体材料的分子设计及其新进展[J]. 徐钦华,陈林丽,周湖云,雷新荣,陆琦. 材料导报. 2003(01)
[4]关于钨青铜结构铌酸盐晶体的通式及其阳离子占位探讨[J]. 张高科,欧阳世翕,吴伯麟. 人工晶体学报. 1996(03)
[5]用布里渊散射法测量Li2B4O7单晶的弹性系数和压电系数[J]. 易明,廖理几. 北京工业大学学报. 1992(01)
[6]成型压力对瓷介电容器性能的影响[J]. 段仁官. 电子元件与材料. 1992(01)
[7]干涉法测量Cd(C4H8N2S)3Cl2晶体的压电系数[J]. 尹鑫,张囡,袁多荣,蒋民华. 人工晶体学报. 1989(04)
博士论文
[1]高温压电晶体的生长、性能表征和应用研究[D]. 于法鹏.山东大学 2011
本文编号:3029337
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/huaxue/3029337.html
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