移动加热源法制备单层硒化镓晶体

发布时间：2021-02-22 10:48

　　为了解决硒化镓（GaSe）晶体制备困难、化学性能差的问题,对GaSe晶体传统的化学汽相沉积制备方法进行了改进,采用移动加热源法制备GaSe晶体。搭建了GaSe晶体的制备装置,通过单片机精确调控制备晶体的高温炉的加热温度、移动位置等参数,并采用光学显微镜和原子力显微镜对所制备的GaSe晶体进行辅助表征。研究表明,利用移动加热源法可以制备出表面光滑且尺寸较大的单层二维GaSe晶体。由于对机电设备实现了自动精密移动,可对单层二维GaSe晶体实现高质量大批量的制备,有利于GaSe晶体在光电子学和纳电子学中的广泛应用。 

【文章来源】：光学仪器. 2020,42(02)

【文章页数】：7 页

【部分图文】：

移动高温炉装置的底盘图

实验二制备的GaSe晶体显微镜图像如图4所示。图4(a）为100倍物镜下独立的GaSe的光学显微镜图像，其中插图是50倍物镜下的GaSe光学显微镜图像，其原子力显微镜表征结果如图4(b）所示，厚度为0.92 nm，为表面光滑的单层二维GaSe。图4(c）、图4(d）为堆叠的多层圆形和多层三角形GaSe。图3 移动法中实验一制备出的二维GaSe图

图2 制备GaSe的移动设备装置图，高温炉移动为(1)→(2)→(3)通过移动加热源法，改变高温炉降温到900℃时的位置，可以大批量地制备出较为理想的表面光滑的单层二维GaSe。

【参考文献】：
期刊论文
[1]基于CO2激光的微纳光纤熔接技术研究[J]. 周聪,谷付星.  光学仪器. 2019(01)
[2]带隙渐变纳米线的制备及其非线性光学效应研究[J]. 汪雨,吴志瀚,谷付星.  上海理工大学学报. 2018(02)
[3]二维范德瓦尔斯材料[J]. 陈伟,P.Ajayan,P.Kim,K.Banerjee.  物理. 2016(09)

硕士论文
[1]硒化镓晶体的生长及电子结构研究[D]. 张明.哈尔滨工业大学 2012



本文编号：3045874