硫化物/BiOBr杂化材料的制备及其光催化性能研究

发布时间：2021-04-27 10:28

　　光催化技术被认为是解决能源危机和环境污染两大议题的有效途径。作为一种新型的光催化材料,BiOBr半导体带隙（².7 eV）适中,能够吸收部分可见光,其特殊的层状结构可有效提升电子/空穴对的分离效率。然而,纯相BiOBr材料与最适合的带隙值（1.5 eV）仍有差距,且电子/空穴对的复合速率较高,这极大地限制了BiOBr材料的光催化应用。在本论文中,提出采用硫化物（SnIn₄S₈,NiS和ZnIn₂S₄）作为助催化剂,通过两步水热法构筑硫化物/BiOBr异质结,利用能带结构重排改善BiOBr光谱吸收,利用导电性好的硫化物改善BiOBr材料载流子传输性能,利用异质结结构改善电子/空穴对的分离效率,最终获得高光催化性能BiOBr材料。具体研究内容如下:（1）SnIn₄S₈/BiOBr杂化材料的制备及其光催化性能的研究。本章采用两步水热法成功制备SnIn₄S₈/BiOBr杂化材料,详细研究SnIn

【文章来源】：中国矿业大学江苏省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：70 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
致谢
摘要
abstract
1 绪论
    1.1 研究背景
    1.2 半导体光催化
    1.3 半导体改性
    1.4 本文的研究目标和研究内容
2 研究方法
    2.1 实验原材料及试剂
    2.2 实验仪器
    2.3 材料制备
    2.4 表征方法
    2.5 光催化性能测试
4S₈/BiOBr杂化纳米材料的制备及光催化性能研究">3 SnIn₄S₈/BiOBr杂化纳米材料的制备及光催化性能研究
    3.1 引言
    3.2 结果与讨论
    3.3 本章小结
4 NiS/BiOBr杂化纳米材料的制备及光催化性能研究
    4.1 引言
    4.2 结果与讨论
    4.3 本章小结
2S₄/BiOBr杂化纳米材料的制备及光催化性能研究">5 ZnIn₂S₄/BiOBr杂化纳米材料的制备及光催化性能研究
    5.1 引言
    5.2 结果与讨论
    5.3 本章小结
6 总结
    6.1 总结
    6.2 下一步工作
参考文献
作者简历
学位论文数据集


【参考文献】：
期刊论文
[1]三元NiS/CQDs/ZnIn2S4 光催化体系的合理设计及其产氢性能（英文）[J]. 王冰清,丁瑶,邓子榕,李朝晖.  催化学报. 2019(03)



本文编号：3163302