超顺排碳纳米管场发射电子源在射频离子微推进中和器中的应用

发布时间：2021-08-18 17:10

　　本文报告了采用超顺排碳纳米管场发射电子源实现射频离子微推进器离子束流中和控制的研究工作。所报道的超顺排碳纳米管场发射电子源可以在400～500 V的电压下输出约数毫安的电子流,可以满足推进器的中和任务要求,在轨性能良好。具有发射电压低,发射电流大,工作稳定可靠的特点。 

【文章来源】：真空电子技术. 2020,(04)

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

超顺排碳纳米管电子发射体及中和器

老化寿命测试

根据星上测量数据,可以对中和器的在轨工作的性能进行评估。两个中和器的发射特性曲线如图4(a) 和(b)所示,表现了较好的参数一致性,同时还研究了不同时间测量时中和器的性能。图4(c)和(d)展示了中和器1两次不同测试的I-V和Fowler-Nordheim (F-N)曲线,曲线表现了良好的一致性。需要注意的是当对中和器进行性能测试时,电压上升阶段和电压下降阶段的曲线并不重合,相同发射电流情况下,电压上升阶段比电压下降阶段的发射电压更低,在多次测量中都呈现了这种现象。推测这可能反映了在轨状态下仍然存在一定的吸附脱附现象,吸附状态的逸出功略小于脱附状态。根据轨道参数可以估计出所处的气体压强约为10-6 Pa,这一真空度下仍然难以实现完全脱附。图4(d)拟合了电压上升和电压下降过程的F-N曲线斜率。若假设两种过程中碳纳米管场发射尖端状态保持稳定,可以给出吸附状态的功函数约为脱附状态的2/3。图4 碳纳米管阴极中和器在轨性能


本文编号：3350289