Pd插层NbSe 2 化合物的制备、晶体结构和电学性质研究（英文）

发布时间：2021-09-30 04:33

　　通过固相反应法合成一系列插层化合物Pd_xNbSe₂ （x=0～0.17）。它们与2H-NbSe₂相同,属于六方晶格,空间群为P6₃/mmc。Pd占据NbSe₂层间的八面体空位。随着Pd含量的增加,晶格常数c线性增大,而a几乎不变。X射线单晶衍射结果表明,Pd_0.17NbSe₂的晶格常数为a=b=0.34611（2）nm,c=1.27004（11）nm。每个Pd原子与六个Se原子键合形成[PdSe₆]八面体来连接相邻的Nb-Se层,使晶体结构变得更加稳定,从而提高化合物的热稳定性。电学测试表明,随着Pd含量的增加, Pd_xNbSe₂的剩余电阻比减小。此外,超导转变温度也随着Pd含量的增加而下降,说明Pd的引入不利于NbSe₂的超导态。 

【文章来源】：无机材料学报. 2020,35(04)北大核心EISCICSCD

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
1 Experimental
    1.1 Preparation of PdxNbSe2
    1.2 Characterization
2 Results and discussion
3 Conclusions


【参考文献】：
期刊论文
[1]ReX2（X=S,Se）:二维各向异性材料发展的新机遇[J]. 王人焱,甘霖,翟天佑.  无机材料学报. 2019(01)
[2]基于花状MoS2微米材料的葡萄糖生物传感器的制备及其性能研究[J]. 赵得瑞,翟英娇,李金华,楚学影,徐铭泽,李雪,方铉,魏志鹏,王晓华.  无机材料学报. 2016(02)



本文编号：3415131