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二维氧化钨半导体光催化剂的设计、调控及光催化性能研究

发布时间:2022-01-05 10:26
  WO3作为一种可见光半导体催化剂,具有光利用率高、稳定性好、易制备等优点,在光催化降解有机污染物、光催化裂解水等方面有着潜在的应用前景。为了进一步提高其光催化性能,本论文在前期的工作基础上,提出了利用二维材料具有大比表面积、暴露更多活性位点的特征,制备了大尺寸高质量的WO3纳米光催化材料,初步揭示了二维WO3的生长和调控规律,并通过助催化剂负载改善了WO3的光催化性能,结合多种测试方法,阐明了助催化剂的改性机理,本论文工作为制备高活性半导体光催化剂提供了研究基础。首先,本论文分别研究了水和乙醇两种溶剂对二维WO3纳米材料生长的影响,结果表明指出乙醇促进了表面活性剂与催化剂前驱体的结合,更有利于获得大尺寸二维WO3纳米片;对合成反应不同过程产物进行了研究,结果指出二维纳米片结构来自水解产物钨酸,最终的热处理虽然不影响产物的形貌,但会促使三斜相WO3的形成以及提高二维纳米片的结晶性;通过改变表面活性剂,本论文发现非离子型表面活性剂有利于促进二维WO3纳米片的生长;通过调控溶剂热的反应温度和保温时间,我们认为温度比时间对二维WO3纳米片的生长影响更大,高温溶剂热反应更有利于提高二维WO3纳米... 

【文章来源】:山东大学山东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:75 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

二维氧化钨半导体光催化剂的设计、调控及光催化性能研究


图1-1光催化反应机理图??

形貌,晶体结构,光催化剂


?山东大学硕士学位论文???讓麵??正交?单斜?六角??图1-2\¥03常见晶体结构图??尽管W03半导体光催化剂具有较低的带隙,但是一方面因为其导带位置低??(0.5eVw.NHE)导致电子还原能力差[63],另一方面因为高的载流子复合几率??导致光电流密度低,其光催化活性仍然较低。在本课题组的前期工作中,采用了??构建六方/立方W〇3异质结光催化剂、负载Au贵金属助催化剂等方法,改善了??W03的光催化降解性能和光电化学性能。WangM通过湿化学法对W03的形貌进??行调控,获得的纳米棒、纳米花等不同形貌光催化剂,因其具有大比表面积、载??流子分离和迁移快速等优点I65"68],展现了较好的有机污染物降解性能。HwangW[69】??等人利用过渡金属Mg、Fe等的掺杂,实现了?W03导带位置的调控,实现光催??化裂解水产氢。ColetMMPU等人利用n掺杂的方法,改善了?W03的光催化性能,??并且避免了电子-空穴复合中心的出现。5〇八1^[72-75]等人利用Ti02与W03构建了??异质结光催化剂[?71由于界面的内电场作用促进了载流子分离,使其光催化活??性大于单一的光催化剂。总之,为了提高W03光催化剂的性能,人们开展了一??系列催化剂改性实验,取得了良好的效果[胃81]。相比Ti02、CdS等光催化剂,??W03半导体光催化剂的研究和应用仍然较少。这一方面是由于其光催化性能仍??然较低,另一方面则由于当前的改性方法还不尽如人意。例如,采用N掺杂W03??的改性方法,容易在催化剂中引入WNPWm这种第二相化合物;而构建异质结??光催化剂的方法,其光催化活性对半导体光催化剂的比例敏感,给实验制备

路径图,路径图,技术,助催化剂


?山东大学硕士学位论文???了结构基础,而二维wo3光催化剂又为后续的改性提供了结构基础??4?.??.?**?.?i???4???*.?‘??图1-3?WOy0.33H2O的俯视图和侧视图??1.5本论文的选题思想和主要研究内容??1.5.1选题思想??基于前文所述,为了进一步提高\^03半导体光催化剂的光催化活性,本论??文拟从wo3的形貌调控和贵金属助催化剂负载两方面入手:首先探索二维wo3??半导体光催化剂的制备方法,研宄二维纳米材料的生长机理;对比研究二维W〇3??的光催化性能特点,进一步阐明二维W〇3高活性表面的光催化机理;在此基础??上,通过不同的贵金属助催化剂负载改性,研究助催化剂/W〇3光催化降解活性,??阐明贵金属助催化剂的改性机理。本论文的工作将为后续高效半导体光催化剂的??实验和理论研究提供研究基础,对促进半导体光催化技术在降解有机污染物方面??的应用有重要意义。??本论文将按照以下技术路线开展相应的实验工作:??^?y?^??:维WO,的制备和?.维WO,光催化剂?贵金M负钱WO,的??生长M理研究?的光催也性能研究?光催化性能研究??===^==??揭氺维高活性WO,设?_明助催化剂改性以及??计和调控的基本规汴?\\〇3光催化反应的机理??图1-4技术路径图??9??

【参考文献】:
期刊论文
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硕士论文
[1]三氧化钨基异质结半导体光催化剂的制备及其光电催化性能研究[D]. 孔玥琪.山东大学 2017



本文编号:3570186

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