类石墨相C 3 N 4 与MoS 2 /NiS/C 3 N 4 复合半导体的制备及光催化性能研究
发布时间：2022-12-11 04:09
由于制药废水的排放及广谱抗生素在水产和家畜领域中的广泛应用,水体中广谱抗生素污染已经危害对人类身体健康及自然环境的造成威胁,而石墨相C3N4（g-C3N4）由于其无毒和良好的化学稳定性,以及表现出一定的可见光响应能力,在光催化降解污染物领域具有巨大的潜力;针对其存在可见光利用率低,电子-空穴对易复合等问题,本研究首先采用热聚合法制备g-C3N4,然后采用水热法和超声水浴法制备了二元（MoS2/g-C3N4、NiS/g-C3N4）和三元复合半导体（NiS/MoS2/g-C3N4）;同时采用不同前驱体原料通过热聚合法制得了 g-C3N4/g-C3N4同质复合半导体。在制备二元及三元复合半导体过程中,通...
【文章页数】：78 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
致谢
摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
1.1 g-C_3N_4的概述
1.1.1 g-C_3N_4的结构
1.1.2 g-C_3N_4的光催化机理
1.1.3 g-C_3N_4的制备
1.2 g-C_3N_4的修饰改性
1.2.1 g-C_3N_4修饰改性的必要性
1.2.2 g-C_3N_4基复合半导体设计理念
1.2.3 g-C_3N_4基复合半导体的种类
1.2.3.1 非金属/g-C_3N_4复合半导体
1.2.3.2 贵金属/g-C_3N_4复合半导体
1.2.3.3 单金属(氧化物/硫化物)/g-C_3N_4复合半导体
1.2.3.4 多金属氧化物/g-C_3N_4复合半导体
1.2.3.5 复杂体系/g-C_3N_4复合半导体
1.3 选题的意义及主要内容
第二章 实验部分
2.1 实验试剂
2.2 实验仪器和设备
2.3 样品的制备
2.3.1 g-C_3N_4的制备
2.3.2 MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备
2.3.2.1 MoS_2的制备
2.3.2.2 MoS_2纳米片与g-C_3N_4的复合
2.3.3 NiS/g-C_3N_4复合半导体和NiS/MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备
2.3.3.1 NiS与g-C_3N_4的复合
2.3.3.2 MoS_2与NiS/g-C_3N_4化合物的复合
2.4 样品的结构和形貌的表征
2.4.1 X射线衍射分析(XRD)
2.4.2 X射线光电子能谱分析(XPS)
2.4.3 扫描电镜分析(SEM)
2.4.4 透射电镜分析(TEM)
2.4.5 能谱分析(EDS)
2.4.6 傅里叶红外光谱分析(FT-IR)
2.4.7 紫外-可见光谱分析(UV-Vis)
2.5 样品的光催化性能检测
第三章 MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备及光催化性能的研究
3.1 引言
3.2 MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备
3.3 结果与讨论
3.3.1 晶体结构及微观形貌表征
3.3.2 光吸收性能
3.3.3 光催化性能
3.3.4 光催化机理
3.4 本章总结
第四章 NiS/g-C_3N_4及NiS/MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备及光催化性能的研究
4.1 引言
4.2 NiS/MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备
4.3 结果与讨论
4.3.1 晶体结构及微观形貌表征
4.3.2 光吸收性能
4.3.3 光催化性能
4.3.4 光催化机理
4.4 本章总结
第五章 g-C_3N_4/g-C_3N_4同质复合半导体的制备及光催化性能的研究
5.1 引言
5.2 g-C_3N_4/g-C_3N_4同质复合半导体的制备
5.3 结果与讨论
5.3.1 结构表征
5.3.2 光催化性能
5.3.3 光催化机理
5.4 本章总结
第六章 全文总结与展望
6.1 全文总结
6.2 工作展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表的学术论文
【参考文献】：
期刊论文
[1]阳极TiO2/g-C3N4与阴极WO3/W纳米催化剂之间扩大的异质结自偏压系统去除污染物（英文）[J]. 于婷婷,柳丽芬,杨凤林. 催化学报. 2017(02)
[2]g-C3N4光催化性能的研究进展[J]. 楚增勇,原博,颜廷楠. 无机材料学报. 2014(08)
本文编号：3718115
【文章页数】：78 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
致谢
摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
1.1 g-C_3N_4的概述
1.1.1 g-C_3N_4的结构
1.1.2 g-C_3N_4的光催化机理
1.1.3 g-C_3N_4的制备
1.2 g-C_3N_4的修饰改性
1.2.1 g-C_3N_4修饰改性的必要性
1.2.2 g-C_3N_4基复合半导体设计理念
1.2.3 g-C_3N_4基复合半导体的种类
1.2.3.1 非金属/g-C_3N_4复合半导体
1.2.3.2 贵金属/g-C_3N_4复合半导体
1.2.3.3 单金属(氧化物/硫化物)/g-C_3N_4复合半导体
1.2.3.4 多金属氧化物/g-C_3N_4复合半导体
1.2.3.5 复杂体系/g-C_3N_4复合半导体
1.3 选题的意义及主要内容
第二章 实验部分
2.1 实验试剂
2.2 实验仪器和设备
2.3 样品的制备
2.3.1 g-C_3N_4的制备
2.3.2 MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备
2.3.2.1 MoS_2的制备
2.3.2.2 MoS_2纳米片与g-C_3N_4的复合
2.3.3 NiS/g-C_3N_4复合半导体和NiS/MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备
2.3.3.1 NiS与g-C_3N_4的复合
2.3.3.2 MoS_2与NiS/g-C_3N_4化合物的复合
2.4 样品的结构和形貌的表征
2.4.1 X射线衍射分析(XRD)
2.4.2 X射线光电子能谱分析(XPS)
2.4.3 扫描电镜分析(SEM)
2.4.4 透射电镜分析(TEM)
2.4.5 能谱分析(EDS)
2.4.6 傅里叶红外光谱分析(FT-IR)
2.4.7 紫外-可见光谱分析(UV-Vis)
2.5 样品的光催化性能检测
第三章 MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备及光催化性能的研究
3.1 引言
3.2 MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备
3.3 结果与讨论
3.3.1 晶体结构及微观形貌表征
3.3.2 光吸收性能
3.3.3 光催化性能
3.3.4 光催化机理
3.4 本章总结
第四章 NiS/g-C_3N_4及NiS/MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备及光催化性能的研究
4.1 引言
4.2 NiS/MoS_2/g-C_3N_4复合半导体的制备
4.3 结果与讨论
4.3.1 晶体结构及微观形貌表征
4.3.2 光吸收性能
4.3.3 光催化性能
4.3.4 光催化机理
4.4 本章总结
第五章 g-C_3N_4/g-C_3N_4同质复合半导体的制备及光催化性能的研究
5.1 引言
5.2 g-C_3N_4/g-C_3N_4同质复合半导体的制备
5.3 结果与讨论
5.3.1 结构表征
5.3.2 光催化性能
5.3.3 光催化机理
5.4 本章总结
第六章 全文总结与展望
6.1 全文总结
6.2 工作展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表的学术论文
【参考文献】：
期刊论文
[1]阳极TiO2/g-C3N4与阴极WO3/W纳米催化剂之间扩大的异质结自偏压系统去除污染物（英文）[J]. 于婷婷,柳丽芬,杨凤林. 催化学报. 2017(02)
[2]g-C3N4光催化性能的研究进展[J]. 楚增勇,原博,颜廷楠. 无机材料学报. 2014(08)
本文编号：3718115
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/huaxue/3718115.html
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