NiO/g-C 3 N 4 修饰电极的制备及电催化检测抗坏血酸

发布时间：2023-12-04 19:53

　　利用三聚氰胺制备石墨相的氮化碳,即g-C₃N₄,以氯化镍和g-C₃N₄为基础物质采用电沉积方法制备复合化学修饰电极。通过对裸电极、Ni O/GCE、g-C₃N₄/GCE和NiO/g-C₃N₄/GCE对抗坏血酸的催化效果的比较,发现NiO和g-C₃N₄的复合修饰电极对抗坏血酸具有良好的电催化氧化作用。扫描速率在70²00 m V/s范围内,峰电流与扫描速率呈良好的线性关系:I_pa=-34.14-1.167v,R=0.998;I_pc=53.42+0.357 8v,R=0.982。峰电位随扫描速率增大有一定的偏移,说明该修饰电极的氧化还原过程受表面控制。当抗坏血酸的质量浓度介于0.017 6²2.88μg/m L时,其氧化峰电流与质量浓度具有良好的线性关系,方程为:I_pa

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【文章目录】：
引文格式:
1 材料与方法
    1.1 材料与试剂
    1.2 仪器与设备
    1.3 方法
        1.3.1 g-C3N4的制备
        1.3.2 修饰电极的制备
2 结果与分析
    2.1 合成g-C3N4的扫描电子显微镜表征
    2.2 电极的制备过程
    2.3 抗坏血酸在不同电极上的电化学行为
    2.4 实验条件的优化
        2.4.1 滴涂体积及电沉积圈数的选择
        2.4.2 支持电解质p H值的影响
        2.4.3 扫描速率的影响
    2.5 电催化检测抗坏血酸
        2.5.1 电催化
        2.5.2 线性范围与检出限结果
    2.6 选择性、重复性和稳定性结果
    2.7 实际果汁样品检测结果
3 结论



本文编号：3870605