利用激子带内吸收研究二硫化钨及其异质结构中载流子的动力学过程
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【学位级别】:博士
【部分图文】:
图1-1.几种二维材料近些年发表的文章数量
优异的性能,其发现引起了人们对层状材料家族研究的热潮。二位石墨烯的发现??者也因此获得了?2010年的诺贝尔物理学奖。自2010年以后,多种二维材料被发??现,并且相关的研究论文数量迅速增长,图1-1展示了几种二维材料这些年来的研??究状况。??、》石墨烯?咖■二硫化钨?■?咖『....
图1-2.具有MX2结构的过渡金属硫族化合物结构图,较大的球代表M?(Mo或W)原子,较??小的球表X?(S或Se)原55
1.1.2.1?简介??具有MX2结构的过渡金属硫族化合物,是二维半导体方面研究最广泛的材料??种类,结构如图1-2所示[55],中间夹层为过渡金属原子,上下两层为硫族原子。??它们拥有几种奇异的特性,例如单层材料的能带结构由体材料的间接带隙转变为??直接带隙;能谷选择性光学耦合....
图1-3.?(a)单层二硫化钨的能带结构
带位置不断扩大,即从间接带隙转变为直接带隙[57]。因此当二硫化钨由体材料转??变为单层时,其半导体特性会发生显著改变,即由体材的间接带隙半导体(约1.3??eV)转变为单层的直接带隙半导体(约2.1?eV)?[58,?59],如图1-3所示[59]。而且??正是这种带隙结构的变....
图1-4.?(a)化学沉积法制备二硫化钨薄膜的模型图
一层金属钨薄膜,然后在CVD管式炉中进行硫化,以此合成二硫化钨薄膜的方法??[70,?71]。??一步反应法常见的实验装置如图1-4所示[67],低熔点的硫粉置于上游低温区,??在反应腔前端放置前驱体如三氧化钨,将二氧化硅-硅衬底置于前躯体的下游。在??载气的作用下,低温区挥发的....
本文编号:3942966
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