CuO@CuS元件的制备及其对H 2 S的气敏机理研究

发布时间：2024-04-13 01:44

　　采用简单的一步溶液法制备出了形貌较好的氧化铜纳米片,并通过对氧化铜进行硫化氢钝化的方式,制备出了室温工作温度下能重复检测硫化氢的气敏元件。研究结果显示,制备的CuO@CuS元件在室温工作温度下对硫化氢表现出较好的选择性、响应灵敏度高且响应时间短。室温工作温度下对1ppm、5ppm、10ppm、15ppm浓度硫化氢的响应灵敏度为3.0、4.9、6.2、8.0,对应的响应时间为30s、10s、7s、5s。

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【文章目录】：
前言
1 氧化铜纳米片的制备及表征
    1.1 氧化铜纳米结构的制备
    1.2 氧化铜纳米片的表征
2 气敏元件的制备及性能分析
    2.1 气敏元件的制备
    2.2 气敏性能测试
3 机理分析
4 总结



本文编号：3952289