ICP-OES雾化系统对汽油中不同硅化学形态测量的适应性研究

发布时间：2017-07-18 19:03

  本文关键词：ICP-OES雾化系统对汽油中不同硅化学形态测量的适应性研究

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【摘要】：汽油中含硅化合物的存在会在燃烧时形成二氧化硅沉积于汽车燃烧系统的不同部位,进而导致车辆故障的发生。汽油中的含硅化合物可能以不同的形态存在。采用有机直接进样模式的电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定油品中的微量杂质因其方便、快速正得到越来越多的应用。本文研究了不同的ICP-OES雾化系统对不同形态含硅化合物测量的影响。对于微量旋流雾化系统,硅的发射强度与硅化学形态有明显关系,硅化合物挥发性越大,硅元素的发射强度就越强。微量可控温旋流雾化系统可改善易挥发性硅元素的发射强度增强效应,但仍无法完全消除此增强效应。直接注入高效雾化器(DIHEN)雾化系统的应用,可有效消除易挥发性硅的发射强度增强效应,比较适合汽油中硅含量的测定。DIHEN-ICP-OES方法的加标回收率为92.8%~108.7%,相对标准偏差(RSD,n=10)为1.05%~4.63%,方法检出限为0.05mg·kg-1。与传统微波消解法相比,DIHEN-ICP-OES具有简便,快速,灵敏,准确度较高的优点,可用于汽油中硅含量的直接检测。
【作者单位】： 深圳市计量质量检测研究院;
【关键词】： 汽油 硅化学形态 直接注入高效雾化器(DIHEN) ICP-OES
【基金】：国家标准制定计划能源项目(20141511-T-469)资助
【分类号】：O657.31;TE626.21
【正文快照】： 引言世界燃油规范[1](第五版)和《车用汽油》GB17930—2013[2]国家标准均明确规定不得人为添加含硅化合物。按常规汽油产品的生产加工工艺和调和组分的组成情况,汽油中的硅含量一般应少于2mg·L-1,而近年来因汽油中含硅化合物存在而导致的汽油质量事故时有发生,个别汽油中的硅

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：559268